Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2SK2744(F)

частина: 6130

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

2SK2845(TE16L1,Q)

частина: 779

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2SK2507(F)

частина: 761

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 12A, 10V,

До побажання

2SK2544(F)

частина: 749

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

До побажання

2SK1119(F)

частина: 779

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V,

До побажання

2SJ681(Q)

частина: 746

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

До побажання

2SJ380(F)

частина: 783

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

2SJ610(TE16L1,NQ)

частина: 711

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання

2SJ360(F)

частина: 714

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

2SJ304(F)

частина: 800

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання

2SK3128(Q)

частина: 702

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання

2SK3309(Q)

частина: 633

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 450V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання

2SK2376(Q)

частина: 685

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

2SK2266(TE24R,Q)

частина: 654

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

2SK3132(Q)

частина: 463

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

2SK3068(TE24L,Q)

частина: 430

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

2SK2993(TE24L,Q)

частина: 483

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

2SK2917(F)

частина: 500

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

2SK2916(F)

частина: 458

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання

2SK2847(F)

частина: 6126

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

До побажання

2SK2719(F)

частина: 460

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

До побажання

Microchip Technology

2N7000-G

частина: 187823

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Tj), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2SK1374G0L

частина: 648

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

До побажання

2SJ0674G0L

частина: 636

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання

2SK0601G0L

частина: 707

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2SJ0536G0L

частина: 713

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

До побажання

2SK3547G0L

частина: 594

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання

2SK0664G0L

частина: 599

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

До побажання

2SK3539G0L

частина: 585

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання

2SK3546G0L

частина: 612

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання

2N7002WT3G

частина: 457

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002ET3G

частина: 516

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 260mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

До побажання

2N7002LT3

частина: 327

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7000RLRPG

частина: 6095

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання