Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2SK2095N
Rohm Semiconductor

2SK2095N

частина: 9525

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
2SK4196LS-1E
ON Semiconductor

2SK4196LS-1E

частина: 9506

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

До побажання
2SK3821-E
ON Semiconductor

2SK3821-E

частина: 9493

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
2SK4210
ON Semiconductor

2SK4210

частина: 9418

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 5A, 10V,

До побажання
2SK4088LS
ON Semiconductor

2SK4088LS

частина: 9450

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

До побажання
2SJ652
ON Semiconductor

2SJ652

частина: 5963

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання
2SK4065-E
ON Semiconductor

2SK4065-E

частина: 9480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
2N7008
ON Semiconductor

2N7008

частина: 9463

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання
2N7000RLRA
ON Semiconductor

2N7000RLRA

частина: 9338

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002LT1
ON Semiconductor

2N7002LT1

частина: 9349

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002_NB9G002
ON Semiconductor

2N7002_NB9G002

частина: 9327

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002KT3G
ON Semiconductor

2N7002KT3G

частина: 9323

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7000RLRMG
ON Semiconductor

2N7000RLRMG

частина: 9288

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2SK3430-AZ
Renesas Electronics America

2SK3430-AZ

частина: 9563

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

До побажання
2SK1859-E
Renesas Electronics America

2SK1859-E

частина: 9480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 3A, 10V,

До побажання
2SK354700L
Panasonic Electronic Components

2SK354700L

частина: 9526

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання
2SK3546J0L
Panasonic Electronic Components

2SK3546J0L

частина: 9480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання
2SK0665G0L
Panasonic Electronic Components

2SK0665G0L

частина: 9355

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

До побажання
2SK221100L
Panasonic Electronic Components

2SK221100L

частина: 9251

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
2SK0615
Panasonic Electronic Components

2SK0615

частина: 9274

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2SK066400L
Panasonic Electronic Components

2SK066400L

частина: 9187

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

До побажання
2N6661JAN02
Vishay Siliconix

2N6661JAN02

частина: 9463

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2N6661JTXP02
Vishay Siliconix

2N6661JTXP02

частина: 9544

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2N6660-2
Vishay Siliconix

2N6660-2

частина: 9516

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 990mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2N6796U
Microsemi Corporation

2N6796U

частина: 9525

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
2N6802U
Microsemi Corporation

2N6802U

частина: 9491

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

До побажання
2N6849
Microsemi Corporation

2N6849

частина: 9509

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6.5A, 10V,

До побажання
2N6782
Microsemi Corporation

2N6782

частина: 9514

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.25A, 10V,

До побажання
2N6756
Microsemi Corporation

2N6756

частина: 9470

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання
2N6760
Microsemi Corporation

2N6760

частина: 9494

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22 Ohm @ 5.5A, 10V,

До побажання
2N7640-GA
GeneSiC Semiconductor

2N7640-GA

частина: 339

Технологія: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc) (155°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16A,

До побажання
2SJ360(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ360(TE12L,F)

частина: 9333

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
2SK3127(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3127(TE24L,Q)

частина: 9296

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
2SK3565(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3565(Q,M)

частина: 9308

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

До побажання
2SK2995(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2995(F)

частина: 9358

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання
2N7002T-7
Diodes Incorporated

2N7002T-7

частина: 9281

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання