Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2SJ438(AISIN,A,Q)

частина: 2215

2SK2034TE85LF

частина: 2095

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

2SJ661-1EX

частина: 2203

Приводна напруга: 4V, 10V,

2SJ652-1EX

частина: 2120

Приводна напруга: 4V, 10V,

2SK3816-DL-1EX

частина: 2164

Приводна напруга: 4V, 10V,

2SK3703-1EX

частина: 2124

Приводна напруга: 4V, 10V,

2SJ661-DL-1EX

частина: 2140

Приводна напруга: 4V, 10V,

2SK4125-1EX

частина: 2103

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

2SK4098FS

частина: 2085

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

2SK4125-1E

частина: 6248

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

2SK536-MTK-TB-E

частина: 198740

Приводна напруга: 10V,

2SK4099LS-1E

частина: 1876

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

2SK4124-1E

частина: 6267

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

2SK4087LS-1E

частина: 1869

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

2SK4088LS-1E

частина: 1874

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

2SK4066-DL-1E

частина: 1810

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

2SK4085LS-1E

частина: 1812

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

2SK4066-1E

частина: 1849

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

2SK3820-DL-1E

частина: 1839

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

2SK4065-DL-1E

частина: 1813

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

2SK3748-1E

частина: 10717

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

2SK3816-DL-1E

частина: 1843

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

2N7002WST1G

частина: 1836

Приводна напруга: 4.5V, 10V,

2SK3707-1E

частина: 1889

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

2SK3064G0L

частина: 2106

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

2N7002 BK

частина: 163082

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK3431-Z-E1-AZ

частина: 1978

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 83A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3431-AZ

частина: 1997

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 83A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3430-Z-E1-AZ

частина: 1915

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

2SK1518-E

частина: 1995

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

2N6661JTXV02

частина: 1822

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661JTXL02

частина: 6256

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661JTVP02

частина: 1814

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661JTX02

частина: 1843

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661-E3

частина: 1817

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

2N6661-2

частина: 1824

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 90V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 860mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,