Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

2N7002H-7

частина: 168572

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SK303100L

частина: 70055

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання

Panasonic Electronic Components

2SK327700L

частина: 97609

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.25A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2N7002MTF

частина: 1245

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4209

частина: 1223

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.08 Ohm @ 6A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4197LS

частина: 1194

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4198LS

частина: 6163

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4177-E

частина: 1166

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4196LS

частина: 1179

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4099LS

частина: 1227

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4116LS

частина: 1193

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.9A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3826

частина: 1249

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3827

частина: 1184

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3824

частина: 1227

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3823

частина: 1192

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3821-DL-E

частина: 1219

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3817-DL-E

частина: 1236

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3820-DL-E

частина: 1246

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SJ665-DL-E

частина: 1187

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK3816-DL-E

частина: 1188

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SJ661-DL-E

частина: 1200

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4222

частина: 1148

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 11.5A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4221

частина: 6203

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 13A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4177-DL-E

частина: 1184

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4117LS

частина: 1187

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 7.5A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4126

частина: 1129

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4089LS

частина: 1168

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

2SK4087LS

частина: 1103

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SK3943-ZP-E1-AY

частина: 1136

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 82A (Tc), Приводна напруга: 5.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 41A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SK3811-ZP-E1-AY

частина: 1223

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 55A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SJ687-ZK-E1-AY

частина: 1177

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 4.5V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SK3793-AZ

частина: 1183

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SK3813-AZ

частина: 1166

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SK3481-AZ

частина: 1175

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SK3483-AZ

частина: 1144

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання

Renesas Electronics America

2SJ673-AZ

частина: 1120

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання