Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

частина: 102169

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

До побажання
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

частина: 122236

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

До побажання
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

частина: 174294

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

До побажання
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

частина: 198421

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

До побажання
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

частина: 171910

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

До побажання
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

частина: 112948

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

До побажання
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

частина: 176159

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

До побажання
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

частина: 162673

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

До побажання
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

частина: 149878

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

До побажання
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

частина: 147362

Транзисторний тип: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

До побажання
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

частина: 21546

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

До побажання
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

частина: 121902

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

До побажання
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

частина: 121085

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

До побажання
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

частина: 152076

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

частина: 1466

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 70mA, 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

частина: 1531

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

частина: 1529

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

частина: 1468

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

частина: 1537

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

частина: 1441

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

частина: 1506

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

частина: 3210

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

частина: 1473

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

частина: 1470

Транзисторний тип: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

частина: 1495

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

частина: 1457

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 70mA, 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

частина: 3149

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 70mA, 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

частина: 1427

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

частина: 1454

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

частина: 1473

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

частина: 1505

Транзисторний тип: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 22 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

частина: 1465

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

частина: 1484

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

частина: 1459

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 47 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

частина: 1440

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа випромінювача (R2): 10 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

До побажання
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

частина: 1509

Транзисторний тип: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

До побажання