Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2N7002E-7-F
Diodes Incorporated

2N7002E-7-F

частина: 151296

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

До побажання
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated

2N7002W-7-F

частина: 152407

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання
2N7002A-7
Diodes Incorporated

2N7002A-7

частина: 162377

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V,

До побажання
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated

2N7002T-7-F

частина: 151684

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання
2N7002-7-F
Diodes Incorporated

2N7002-7-F

частина: 150809

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання
2N7002K-7
Diodes Incorporated

2N7002K-7

частина: 148092

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 380mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002WT1G
ON Semiconductor

2N7002WT1G

частина: 194951

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2V7002LT3G
ON Semiconductor

2V7002LT3G

частина: 180012

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002L
ON Semiconductor

2N7002L

частина: 150772

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7000
ON Semiconductor

2N7000

частина: 155873

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002W
ON Semiconductor

2N7002W

частина: 158579

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання
2N7002LT3G
ON Semiconductor

2N7002LT3G

частина: 113499

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002K
ON Semiconductor

2N7002K

частина: 167894

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002ET1G
ON Semiconductor

2N7002ET1G

частина: 156724

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 260mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

До побажання
2V7002LT1G
ON Semiconductor

2V7002LT1G

частина: 187770

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002
ON Semiconductor

2N7002

частина: 115378

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002LT1G
ON Semiconductor

2N7002LT1G

частина: 126299

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002BKW,115
Nexperia USA Inc.

2N7002BKW,115

частина: 149291

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002P,215
Nexperia USA Inc.

2N7002P,215

частина: 116770

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 360mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002,215
Nexperia USA Inc.

2N7002,215

частина: 123703

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002BK,215
Nexperia USA Inc.

2N7002BK,215

частина: 184787

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 350mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002PW,115
Nexperia USA Inc.

2N7002PW,115

частина: 143910

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002CKVL
Nexperia USA Inc.

2N7002CKVL

частина: 180432

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002,235
Nexperia USA Inc.

2N7002,235

частина: 118636

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002E-T1-E3
Vishay Siliconix

2N7002E-T1-E3

частина: 175390

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

До побажання
2N7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix

2N7002K-T1-GE3

частина: 122158

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix

2N7002K-T1-E3

частина: 162145

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2SK2094TL
Rohm Semiconductor

2SK2094TL

частина: 114625

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK3541T2L
Rohm Semiconductor

2SK3541T2L

частина: 143656

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання
2SK2463T100
Rohm Semiconductor

2SK2463T100

частина: 104893

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK2103T100
Rohm Semiconductor

2SK2103T100

частина: 185973

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK3019TL
Rohm Semiconductor

2SK3019TL

частина: 197835

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання
2SK2731T146
Rohm Semiconductor

2SK2731T146

частина: 112352

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 100mA, 10V,

До побажання
2N7002 TR
Central Semiconductor Corp

2N7002 TR

частина: 169091

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002K-TP
Micro Commercial Co

2N7002K-TP

частина: 145706

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 340mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002-TP
Micro Commercial Co

2N7002-TP

частина: 117563

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання