Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2SK4066-E
ON Semiconductor

2SK4066-E

частина: 1172

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-E

частина: 1110

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
2SK4043LS
ON Semiconductor

2SK4043LS

частина: 1127

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 4V,

До побажання
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-E

частина: 1115

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
2SK3748
ON Semiconductor

2SK3748

частина: 1129

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

До побажання
2SK3747-MG8
ON Semiconductor

2SK3747-MG8

частина: 1091

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK3746
ON Semiconductor

2SK3746

частина: 1143

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK3747
ON Semiconductor

2SK3747

частина: 1187

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK3704
ON Semiconductor

2SK3704

частина: 1118

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 23A, 10V,

До побажання
2SK3745LS
ON Semiconductor

2SK3745LS

частина: 1162

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
2SK3703
ON Semiconductor

2SK3703

частина: 6201

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання
2SJ652-RA11
ON Semiconductor

2SJ652-RA11

частина: 1181

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання
2SK4125
ON Semiconductor

2SK4125

частина: 829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання
2SJ656
ON Semiconductor

2SJ656

частина: 835

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75.5 mOhm @ 9A, 10V,

До побажання
2SK4124
ON Semiconductor

2SK4124

частина: 818

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання
2SK4171
ON Semiconductor

2SK4171

частина: 814

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
2SK4085LS
ON Semiconductor

2SK4085LS

частина: 852

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання
2SK3708
ON Semiconductor

2SK3708

частина: 838

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання
2SK3707
ON Semiconductor

2SK3707

частина: 828

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
2N7002E
Vishay Siliconix

2N7002E

частина: 125033

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

До побажання
2N7002K,215
NXP USA Inc.

2N7002K,215

частина: 892

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 340mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2N7002L6327HTSA1
Infineon Technologies

2N7002L6327HTSA1

частина: 723

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання
2SK4021(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4021(Q)

частина: 783

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

До побажання
2SK4017(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4017(Q)

частина: 100330

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,

До побажання
2SK4016(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4016(Q)

частина: 6095

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

До побажання
2SK3868(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

частина: 709

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

До побажання
2SK3906(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

частина: 711

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
2SK3844(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

частина: 756

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

До побажання
2SK3662(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

частина: 712

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання
2SK3462(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

частина: 761

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

До побажання
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

частина: 730

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

До побажання
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

частина: 727

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
2SK3403(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

частина: 759

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 450V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання
2SK3313(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

частина: 769

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання
2SK3342(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

частина: 768

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

До побажання
2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

частина: 752

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

До побажання