Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - програмована одноперехід

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

частина: 76016

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 6V, Напруга - зміщення (Vt): 1.6V, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 50µA,

До побажання
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

частина: 75982

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 6V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

частина: 54052

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 167mW, Напруга - вихід: 6V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

частина: 2509

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

частина: 2537

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

частина: 2538

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 1.6V, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 50µA,

До побажання
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

частина: 2531

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

частина: 2482

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 1.6V, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 50µA,

До побажання
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

частина: 2534

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

частина: 2493

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 1.6V, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 50µA,

До побажання
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

частина: 2505

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

частина: 2518

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 1.6V, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 50µA,

До побажання
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

частина: 2522

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 600mV, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 25µA,

До побажання
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

частина: 2457

Напруга: 40V, Розсіювання потужності (макс.): 300mW, Напруга - вихід: 11V, Напруга - зміщення (Vt): 1.6V, Струм - витік анода (Ігао): 10nA, Течія - Долина (Iv): 50µA,

До побажання