Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2N7002T

частина: 172686

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

До побажання

2N7000BU

частина: 155891

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7000-D26Z

частина: 30133

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2V7002WT1G

частина: 187851

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002KW

частина: 157123

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7000TA

частина: 141923

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2V7002KT1G

частина: 170630

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002KT1G

частина: 188988

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2SK122800L

частина: 5951

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

До побажання

2SK353900L

частина: 9183

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,

До побажання

2SK060100L

частина: 9182

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2SK306400L

частина: 9142

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

До побажання

2SJ053600L

частина: 9187

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

До побажання

2SK3047

частина: 8914

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання

2SK3044

частина: 8928

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 450V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

До побажання

2N7002F,215

частина: 9100

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 475mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002E,215

частина: 8867

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 385mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002BKMB,315

частина: 137202

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 450mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 450mA, 10V,

До побажання

2N7002BKVL

частина: 122069

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 350mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002CK,215

частина: 134277

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання

2N7002BKM,315

частина: 169202

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 450mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

До побажання