Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих

  • Додому
  •  
  • Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих
TLP292-4(LA,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA,E

частина: 50525

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGB,E

частина: 50524

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4LATRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATRE

частина: 151683

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-TR,E

частина: 151713

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP632(GB,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP632(GB,F)

частина: 46966

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP387(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPL,E

частина: 9942

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP388(D4-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPL,E

частина: 9999

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP2303(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2303(TPL,E

частина: 179534

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 500% @ 5mA,

Список побажань
TLP292-4(V4LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LGB,E

частина: 50568

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP290(GB,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB,SE

частина: 159226

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 7µs, 7µs, Час підйому / падіння (тип): 4µs, 7µs,

Список побажань
TLP631(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP631(F)

частина: 2606

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(BL-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(BL-TPL,SE

частина: 117114

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(LA-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LA-TP,E

частина: 160464

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(LGBTR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTR,E

частина: 151734

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP2530(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2530(F)

частина: 41674

Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 7% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 300ns, 500ns,

Список побажань
TLP388(D4GB-TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TL,E

частина: 9996

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP785(GR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GR,F)

частина: 135682

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4LATPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATPE

частина: 151689

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(V4-GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-GB,E

частина: 53541

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GB,E

частина: 53544

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(V4-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TP,E

частина: 160451

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR-TPL,SE

частина: 109314

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TP,E

частина: 151729

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4GBTRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTRE

частина: 151698

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TPR,E

частина: 151687

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(V4-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TR,E

частина: 160497

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(4LGBTRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTRE

частина: 151724

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP785(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(F)

частина: 135607

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP559(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP559(F)

частина: 25416

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 200ns, 300ns,

Список побажань
TLP184(E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(E)

частина: 106154

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP293-4(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(E

частина: 53477

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(V4LATPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATPE

частина: 160515

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(LA-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA-TR,E

частина: 151681

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293(BLL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL-TPL,E

частина: 173727

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP109(IGM-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(IGM-TPR,E

частина: 9983

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 25% @ 10mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 75% @ 10mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 450ns, 450ns,

Список побажань
TLP331(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(F)

частина: 46370

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 1200% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 10µs, 8µs, Час підйому / падіння (тип): 8µs, 8µs,

Список побажань