Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих

  • Додому
  •  
  • Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих
TLP184(TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(TPL,E)

частина: 5337

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP631(BL,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP631(BL,F)

частина: 106577

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(E

частина: 165593

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP385(D4YH-TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4YH-TL,E

частина: 5334

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 75% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(TPL,E

частина: 181329

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP385(YH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(YH,E

частина: 2573

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 75% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP183(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GB,E

частина: 5401

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(TPL,SE

частина: 151820

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293(BL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BL,E

частина: 115682

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291(GR-TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GR-TP,E)

частина: 5251

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 7µs, 7µs, Час підйому / падіння (тип): 4µs, 7µs,

Список побажань
TLP785F(D4GLT7,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785F(D4GLT7,F

частина: 5248

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP285(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP285(TP,F)

частина: 5450

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291(TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(TP,SE

частина: 104212

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(LA-TP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA-TP,E

частина: 151695

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291(V4GBTP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(V4GBTP,SE

частина: 5431

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP290(GR-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GR-TP,SE

частина: 140186

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP385(D4Y-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4Y-TPL,E

частина: 5299

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP281-4(TP,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281-4(TP,J,F)

частина: 114713

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(V4-TPR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(V4-TPR,SE

частина: 5319

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(TPR,E)

частина: 5457

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP385(D4BL-TL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4BL-TL,E

частина: 5427

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP385(D4GR-TR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GR-TR,E

частина: 5284

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(V4GBTR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(V4GBTR,SE

частина: 5358

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP559(IGM,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP559(IGM,F)

частина: 27925

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 25% @ 10mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 75% @ 10mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 450ns, 450ns,

Список побажань
TLP385(GB-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GB-TPR,E

частина: 5336

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GB,E

частина: 109757

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293(YH-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(YH-TPL,E

частина: 144679

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 75% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291(V4GRTP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(V4GRTP,SE

частина: 5473

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP371F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP371F

частина: 67278

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP385(BLL-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BLL-TPR,E

частина: 5292

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(BL-TPL,E

частина: 148209

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(GB-TPR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPR,SE

частина: 183110

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP385(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BL-TPL,E

частина: 5245

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP3924(TP15,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3924(TP15,F)

частина: 38014

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 1500Vrms,

Список побажань
TLP385(GRH-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRH-TPL,E

частина: 5238

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 150% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP785(TP6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(TP6,F)

частина: 148552

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань