Магнітні датчики - перемикачі (твердотільні) | Датчики, перетворювачі | 1

TCS11NLU(TE85L,F)

частина: 698

Функція: Unipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: North Pole, Діапазон зондування: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11SLU(TE85L,F)

частина: 701

Функція: Unipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: South Pole, Діапазон зондування: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DLU(TE85L,F)

частина: 6363

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SLU(TE85L,F)

частина: 6426

Функція: Unipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: South Pole, Діапазон зондування: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SPU(TE85L,F)

частина: 6394

Функція: Unipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: South Pole, Діапазон зондування: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DPU(TE85L,F)

частина: 653

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NPU(TE85L,F)

частина: 702

Функція: Unipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: North Pole, Діапазон зондування: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DPR,LF

частина: 6395

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 5.5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11DLU(TE85L,F)

частина: 6382

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NLU(TE85L,F)

частина: 6359

Функція: Unipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: North Pole, Діапазон зондування: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 3.6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DLR,LF

частина: 6325

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 5.5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DPR,LF

частина: 117776

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 5.5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DLR,LF

частина: 130729

Функція: Omnipolar Switch, Технологія: Hall Effect, Поляризація: Either, Діапазон зондування: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Умова випробування: 25°C, Напруга - живлення: 2.3V ~ 5.5V,

Список побажань