Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - стабілітронові - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - стабілітронові - одинарні
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

частина: 99

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 13V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 9V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

частина: 140

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 20V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 14V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

частина: 137

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 36V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 28.8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

частина: 176

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 6.2V, Толерантність: ±9.68%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 3V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

частина: 141

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 16V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 11V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

частина: 172

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 21V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

частина: 86

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 24V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 17V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

частина: 127

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 16V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

частина: 153

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 10V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 6V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

частина: 98

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

частина: 114

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 27V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 19V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

частина: 118

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 13V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

частина: 89

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 12V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

частина: 142

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 47V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

частина: 173943

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 15V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 10V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

частина: 170

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 43V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 34.4V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

частина: 150

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 39V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 31.2V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

частина: 8202

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 10V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 6V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

частина: 3906

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 22V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 16V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

частина: 8171

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 47V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

частина: 8174

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 30V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 21V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

частина: 5464

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 33V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 26.4V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

частина: 8245

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 12V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 8V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

частина: 8173

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 11V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 7V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

частина: 152718

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 6.8V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 3V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

частина: 127852

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 8.2V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 4.9V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

частина: 138193

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 7.5V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 4.5V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

частина: 5349

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 9.1V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 5.5V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

частина: 5364

Напруга - стабілітрон (Ном) (Vz): 18V, Толерантність: ±10%, Потужність - Макс: 700mW, Опір (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Струм - зворотний витік @ Vr: 10µA @ 13V, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1V @ 200mA,

Список побажань