Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих

  • Додому
  •  
  • Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих
TLP293(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GB-TPL,E

частина: 175302

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP785(BL,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(BL,F)

частина: 135660

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291-4(GB,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(GB,E)

частина: 70479

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291(GB,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GB,SE

частина: 155856

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP290(BL-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(BL-TP,SE

частина: 119013

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP182(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GB-TPL,E

частина: 121142

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BL-TPL,E

частина: 173911

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(MBGBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(MBGBTPE

частина: 160431

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(GRL-TL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GRL-TL,SE

частина: 161155

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 200% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(GB-TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPL,E)

частина: 158238

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP187(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP187(TPL,E

частина: 152142

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP372(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP372(F)

частина: 70465

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP293-4(LGBTR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGBTR,E

частина: 160523

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP2309(TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2309(TPL,E)

частина: 196695

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 15% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 1µs, 1µs (Max),

Список побажань
TLP719(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP719(TP,F)

частина: 106547

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 800ns, 800ns (Max),

Список побажань
TLP109(TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(TPR,E)

частина: 156505

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 800ns, 800ns (Max),

Список побажань
TLP620-2(GBTP1,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620-2(GBTP1,F,T)

частина: 4238

Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP190B(TPR,U,C,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP190B(TPR,U,C,F)

частина: 68321

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Час увімкнення / вимкнення (тип): 200µs, 1ms,

Список побажань
TLP184(TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(TPR,E)

частина: 143028

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP183(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GB-TPL,E

частина: 190760

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP388(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(TPL,E

частина: 16273

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP2531(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2531(F)

частина: 45851

Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 19% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 200ns, 300ns,

Список побажань
TLP185(GB-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPR,E)

частина: 115017

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP293-4(V4GBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4GBTPE

частина: 160459

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(GR-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR-TPR,E)

частина: 178815

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP383(D4BLLTL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(D4BLLTL,E

частина: 188187

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(V4GBTRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4GBTRE

частина: 160485

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP2301(TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2301(TPL,E

частина: 190122

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 1mA,

Список побажань
TLP291(BL-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(BL-TP,SE

частина: 185896

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291-4(GB-TP,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(GB-TP,E)

частина: 111606

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(GB-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPL,SE

частина: 124559

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань