Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих

  • Додому
  •  
  • Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих
4N25A(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25A(SHORT,F)

частина: 99024

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 10mA, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 200µs,

Список побажань
4N32(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N32(SHORT,F)

частина: 5832

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 500% @ 10mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 5µs, 100µs (Max),

Список побажань
4N36(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N36(SHORT,F)

частина: 153096

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 40% @ 10mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs,

Список побажань
4N38(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N38(SHORT,F)

частина: 142675

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 10% @ 10mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs,

Список побажань
4N26(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N26(SHORT,F)

частина: 153083

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 10mA, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 200µs,

Список побажань
4N35(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N35(SHORT,F)

частина: 110956

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 40% @ 10mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs,

Список побажань
4N25(SHORT,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

4N25(SHORT,F)

частина: 122076

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 10mA, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 200µs,

Список побажань
6N138F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138F

частина: 5689

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 300% @ 1.6mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 1µs, 4µs,

Список побажань
6N138(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N138(TP1,F)

частина: 132096

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 300% @ 1.6mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 1µs, 4µs,

Список побажань
6N139(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

6N139(F)

частина: 52030

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 500% @ 1.6mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 200ns, 1µs,

Список побажань
6N136F
Toshiba Semiconductor and Storage

6N136F

частина: 51948

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 19% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 200ns, 500ns,

Список побажань
TLP385(D4-GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GRH,E

частина: 5988

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP624LF1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624LF1F

частина: 61608

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 1200% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 10µs, 8µs, Час підйому / падіння (тип): 8µs, 8µs,

Список побажань
TLP290(GB-TP,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,SE

частина: 170500

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP290(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GR,SE

частина: 5882

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP187(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP187(E

частина: 5841

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP2403(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2403(F)

частина: 37049

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 500% @ 1.6mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 300ns, 1µs,

Список побажань
TLP387(TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPR,E

частина: 2609

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP385(D4-BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BLL,E

частина: 5878

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(GR-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR-TPL,SE

частина: 191882

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP183(BL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(BL-TPL,E

частина: 171777

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP281-4(GB-TP,J,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281-4(GB-TP,J,F

частина: 5770

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP781(GB-LF6,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB-LF6,F)

частина: 5976

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP183(YH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(YH,E

частина: 2631

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 75% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(GB-TPR,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB-TPR,E)

частина: 5912

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP388(D4-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPR,E

частина: 5899

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(V4LATRE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATRE

частина: 160514

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP183(GRH,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRH,E

частина: 5733

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 150% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP627-4F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP627-4F

частина: 21192

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 1000% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 50µs, 15µs, Час підйому / падіння (тип): 40µs, 15µs,

Список побажань
TLP385(BLL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(BLL,E

частина: 2662

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP181(GR,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP181(GR,T)

частина: 5911

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(TPL,SE

частина: 156609

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP731(D4-GR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP731(D4-GR,F)

частина: 58603

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 4000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP385(GRH-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRH-TPR,E

частина: 5984

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 150% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP504A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP504A(F)

частина: 5711

Кількість каналів: 2, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP620(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP620(F)

частина: 133149

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань