Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих

  • Додому
  •  
  • Оптоізолятори - транзисторний, фотоелектричний вих
TLP185(GB-TPL,E)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPL,E)

частина: 5219

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 9µs, 9µs, Час підйому / падіння (тип): 5µs, 9µs,

Список побажань
TLP385(GRL-TPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPR,E

частина: 5247

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 200% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(Y-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(Y-TPL,SE

частина: 167431

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR,SE

частина: 5214

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(GB-TPR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPR,SE

частина: 5227

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(BL-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(BL-TPL,SE

частина: 139225

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291(SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(SE

частина: 5265

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP185(GR,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR,SE

частина: 5181

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP131(GB-TPR,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP131(GB-TPR,F)

частина: 5288

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP182(GR-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GR-TPL,E

частина: 184569

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 300% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP184(GB,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB,SE

частина: 106220

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(4LGBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTPE

частина: 151695

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(MBHATLE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(MBHATLE

частина: 160521

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP759(LF1,J,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(LF1,J,F)

частина: 5281

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 200ns, 300ns,

Список побажань
TLP331(BV,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(BV,F)

частина: 66605

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 200% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 1200% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 10µs, 8µs, Час підйому / падіння (тип): 8µs, 8µs,

Список побажань
TLP183(GRL-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL-TPL,E

частина: 122091

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 200% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP290(SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(SE

частина: 5293

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP109(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(V4,E

частина: 38024

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 800ns, 800ns (Max),

Список побажань
TLP126(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP126(F)

частина: 55569

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 1200% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 10µs, 8µs, Час підйому / падіння (тип): 8µs, 8µs,

Список побажань
TLP2409(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2409(F)

частина: 38421

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 800ns, 800ns (Max),

Список побажань
TLP293-4(V4-LA,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-LA,E

частина: 53487

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4,E

частина: 50532

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4-LA,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-LA,E

частина: 50590

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP291-4(V4GBTPE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(V4GBTPE

частина: 13216

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 2500Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 400% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP124F
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP124F

частина: 77911

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 1200% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 10µs, 8µs, Час підйому / падіння (тип): 8µs, 8µs,

Список побажань
TLP292-4(LGBTP,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTP,E

частина: 151709

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP626(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(F)

частина: 47627

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 1mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 1200% @ 1mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 10µs, 8µs, Час підйому / падіння (тип): 8µs, 8µs,

Список побажань
TLP185(Y-TPL,SE
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(Y-TPL,SE

частина: 134050

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP785(Y,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(Y,F)

частина: 107781

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 5000Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 150% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GB,E

частина: 50554

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(GBTPR,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GBTPR,E

частина: 151711

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(E

частина: 50537

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 50% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP293-4(LGB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGB,E

частина: 53509

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 500µA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 500µA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP109(E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(E

частина: 12167

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 20% @ 16mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 800ns, 800ns (Max),

Список побажань
TLP292(GB-TPL,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(GB-TPL,E

частина: 145868

Кількість каналів: 1, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань
TLP292-4(V4-GB,E
Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-GB,E

частина: 50580

Кількість каналів: 4, Напруга - ізоляція: 3750Vrms, Коефіцієнт поточного передавання (мін.): 100% @ 5mA, Коефіцієнт передачі струму (макс.): 600% @ 5mA, Час увімкнення / вимкнення (тип): 3µs, 3µs, Час підйому / падіння (тип): 2µs, 3µs,

Список побажань