Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

MRF8S19140HR3

частина: 6429

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.96GHz, Посилення: 19.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6VP3091NR1

частина: 1575

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V10010NR4

частина: 1633

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.09GHz, Посилення: 25dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1314HSR5

частина: 191

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.4GHz, Посилення: 17.7dB, Напруга - тест: 50V,

MRFE6VP61K25HSR6

частина: 6340

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 24dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P9300HSR5

частина: 4726

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 960MHz, Посилення: 19.4dB, Напруга - тест: 28V,

MHT1008NT1

частина: 9320

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Посилення: 18.6dB,

MRF6VP121KHR5

частина: 204

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P29300HR5

частина: 4677

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.9GHz, Посилення: 13.3dB, Напруга - тест: 30V,

MRFE6S8046GNR1

частина: 6331

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 894MHz, Посилення: 19.8dB, Напруга - тест: 28V,

MRFG35003N6AT1

частина: 10964

Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 6V,

MMRF1305HR5

частина: 1124

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 512MHz, Посилення: 26dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V2150NBR1

частина: 1935

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 25dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P26080HSR3

частина: 1784

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.62GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE6VS25GNR1

частина: 3755

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 25.4dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6S20010NR1

частина: 4810

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6V13250HSR3

частина: 6412

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.3GHz, Посилення: 22.7dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF5016HSR5

частина: 6383

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz,

MRF8S7170NR3

частина: 1337

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 748MHz, Посилення: 19.5dB, Напруга - тест: 28V,

ON5157,127

частина: 6400

MRF8P9040GNR1

частина: 5310

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 960MHz, Посилення: 19.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P20165WHSR3

частина: 894

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.98GHz ~ 2.01GHz, Посилення: 14.8dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE6VS25NR1

частина: 3810

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 25.4dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1012NR1

частина: 6378

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 23.9dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1317HR5

частина: 202

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 50V,

MRFE6VP61K25GSR5

частина: 351

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 230MHz, Посилення: 24dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V14300HR5

частина: 239

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.4GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V,

ON5252,118

частина: 6332

MRF13750HR5

частина: 354

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 700MHz ~ 1.3GHz, Посилення: 20.6dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 10µA,

MRF6VP3091NBR5

частина: 1396

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P20140WGHSR3

частина: 1040

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P18265HSR6

частина: 6427

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.88GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 30V,

MRF6V12500GSR5

частина: 155

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz ~ 1.215GHz, Посилення: 19.7dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 200µA,

MRF6V14300HSR5

частина: 279

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.4GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V,

ON5250/A,135

частина: 6337

MHT1108NT1

частина: 102

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.45GHz, Посилення: 18.6dB, Напруга - тест: 32V, Поточний рейтинг: 10µA,