Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

MRF1K50N-TF4

частина: 170

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.8MHz ~ 500MHz, Посилення: 23dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 10µA,

MRF1K50H-TF5

частина: 93

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.8MHz ~ 500MHz, Посилення: 23.7dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 20µA,

MRF21010LR5

частина: 6397

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8S21200HSR5

частина: 6389

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.14GHz, Посилення: 18.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE8VP8600HR5

частина: 566

MRFE6VP8600HR5

частина: 611

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 19.3dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1004NR1

частина: 5154

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6V3090NBR1

частина: 1570

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1304GNR1

частина: 3747

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 25.4dB, Напруга - тест: 50V,

MHT1001HR5

частина: 572

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.39GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6VP3450HR6

частина: 598

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 22.5dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P8300HR6

частина: 641

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 820MHz, Посилення: 20.9dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P20160HR3

частина: 6333

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.92GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8HP21130HR3

частина: 6423

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.17GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V,

ON5453,518

частина: 6358

MRFE6VP8600HSR6

частина: 6379

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 19.3dB, Напруга - тест: 50V,

MRFE6VP5600HR5

частина: 579

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 25dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S21120HR3

частина: 6416

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 17.6dB, Напруга - тест: 28V,

MRF300BN

частина: 1302

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 27MHz ~ 250MHz, Посилення: 18.7dB, Напруга - тест: 50V,

ON5275,135

частина: 6388

MMRF2010GNR1

частина: 386

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.09GHz, Посилення: 32.1dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P29300HR6

частина: 264

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.9GHz, Посилення: 13.3dB, Напруга - тест: 30V,

MRF8P29300HSR6

частина: 326

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.9GHz, Посилення: 13.3dB, Напруга - тест: 30V,

MMRF1007HSR5

частина: 236

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1317HSR5

частина: 118

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 50V,

ON5264,127

частина: 6352

MRF8S9100HSR3

частина: 1407

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 920MHz, Посилення: 19.3dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF2007NR1

частина: 6392

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 940MHz, Посилення: 32.6dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1320GNR1

частина: 2818

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 26.1dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V12500HR5

частина: 211

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.03GHz, Посилення: 19.7dB, Напруга - тест: 50V,

ON5257,215

частина: 6401

MRFE6VS25LR5

частина: 1517

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 25.9dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6VP11KGSR5

частина: 493

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 130MHz, Посилення: 26dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S9260HSR3

частина: 694

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.6dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6V3090NR1

частина: 1550

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1320NR1

частина: 2812

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 26.1dB, Напруга - тест: 50V,