Вихідна конфігурація: Half Bridge (4), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (4), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: SPI, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: SPI, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: SPI, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),
Вихідна конфігурація: Half Bridge (4), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: Logic, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 120 mOhm,
Вихідна конфігурація: Half Bridge (2), Програми: DC Motors, General Purpose, Інтерфейс: SPI, Тип навантаження: Inductive, Технологія: Power MOSFET, Rds On (тип): 125 mOhm LS (Max), 125 mOhm HS (Max),