Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2N7002PM,315

частина: 2530

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V,

2N7002T,215

частина: 2571

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K,215

частина: 892

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 340mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000,126

частина: 9622

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002PT,115

частина: 8856

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 310mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BKT,115

частина: 8863

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 290mA (Ta), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

BUK7Y25-80E/GFX

частина: 2567

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y25-80E/CX

частина: 2511

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y25-60E/GFX

частина: 2552

BUK761R7-40E/GFJ

частина: 2563

Приводна напруга: 10V,

BUK761R5-40EJ

частина: 2572

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.51 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9C1R3-40EJ

частина: 57

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 90A, 5V,

BUK951R8-40EQ

частина: 2593

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V,

BUK9C5R3-100EJ

частина: 2508

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V,

BUK9C3R8-80EJ

частина: 2594

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

BUK9C2R2-60EJ

частина: 2531

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V,

BUK7C4R5-100EJ

частина: 2529

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V,

BUK7C5R4-100EJ

частина: 2551

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V,

BUK7C3R1-80EJ

частина: 2547

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

BUK7C3R8-80EJ

частина: 2556

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

BUK7C1R8-60EJ

частина: 6258

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V,

BUK7C1R4-40EJ

частина: 2529

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V,

BUK7C1R2-40EJ

частина: 2518

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V,

BUK9Y9R9-80E,115

частина: 2547

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

BUK9Y98-80E,115

частина: 2588

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

BUK9Y7R8-80E,115

частина: 2582

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

BUK9E1R8-40E,127

частина: 2573

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E8R5-40E,127

частина: 6339

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9E6R1-100E,127

частина: 2510

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E4R9-60E,127

частина: 2556

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E4R4-80E,127

частина: 2545

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E3R7-60E,127

частина: 2588

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E2R8-60E,127

частина: 2547

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E3R2-40E,127

частина: 2570

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E1R9-40E,127

частина: 2502

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V,

BUK9E2R3-40E,127

частина: 2570

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,