Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

MMRF1006HR5

частина: 295

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 450MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V2010NR1

частина: 5247

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 23.9dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S9220HSR3

частина: 898

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 19.4dB, Напруга - тест: 28V,

MRF085HR3

частина: 130

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.8MHz ~ 1.215GHz, Посилення: 25.6dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 2µA,

MMRF1013HR5

частина: 263

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.9GHz, Посилення: 13.3dB, Напруга - тест: 30V,

MRFE6VP6300HSR5

частина: 1066

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 26.5dB, Напруга - тест: 50V,

MRFE6S9046NR1

частина: 6362

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1314GSR5

частина: 154

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.4GHz, Посилення: 17.7dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S19260HR6

частина: 6343

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.99GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 30V,

MMRF1018NBR1

частина: 1518

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P23080HSR5

частина: 6400

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.3GHz, Посилення: 14.6dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1312HSR5

частина: 172

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.034GHz, Посилення: 19.6dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P8300HSR6

частина: 737

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 820MHz, Посилення: 20.9dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1007HR5

частина: 221

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1315NR1

частина: 3706

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 21.1dB, Напруга - тест: 28V,

ON5450,518

частина: 6411

MMRF1019NR4

частина: 1661

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.09GHz, Посилення: 25dB, Напруга - тест: 50V,

PRFX1K80HR5

частина: 353

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.8MHz ~ 470MHz, Посилення: 24dB, Поточний рейтинг: 100mA,

MMRF5014HR5

частина: 279

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.5GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P9040NR1

частина: 5377

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 960MHz, Посилення: 19.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8S18210WHSR3

частина: 912

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 1.93GHz, Посилення: 17.8dB, Напруга - тест: 30V,

MRF1K50HR5

частина: 363

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.8MHz ~ 500MHz, Посилення: 22.5dB,

ON5174,118

частина: 6359

MRF6VP121KHSR5

частина: 159

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S9220HR5

частина: 6379

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 19.4dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8S21200HSR6

частина: 954

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.14GHz, Посилення: 18.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6V13250HSR5

частина: 330

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.3GHz, Посилення: 22.7dB, Напруга - тест: 50V,

MRF24300GNR3

частина: 119

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 2.45GHz,

MRF8P18265HSR5

частина: 4651

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 30V,

ON5407,135

частина: 6415

MHT1004NR3

частина: 170

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.45GHz, Посилення: 15.2dB, Напруга - тест: 32V, Поточний рейтинг: 10µA,

MRF8S18210WHSR5

частина: 6398

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 1.93GHz, Посилення: 17.8dB, Напруга - тест: 30V,

MRF8S9102NR3

частина: 1697

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 920MHz, Посилення: 23.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE6VP100HR5

частина: 1122

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 26dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF5014H-200MHZ

частина: 120

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1MHz ~ 2.7GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 5mA,

ON5204,127

частина: 6364