Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

MRF1K50NR5

частина: 470

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.8MHz ~ 500MHz, Посилення: 23dB, Напруга - тест: 50V,

MRF1513NT1

частина: 15584

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 520MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 12.5V, Поточний рейтинг: 2A,

ON5214,118

частина: 6356

MMRF1015NR1

частина: 7105

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6VP11KHR5

частина: 398

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 130MHz, Посилення: 26dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8HP21130HSR5

частина: 6439

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.17GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8HP21080HR3

частина: 1838

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.17GHz, Посилення: 14.4dB, Напруга - тест: 28V,

ON5451,518

частина: 6415

MRF8VP13350NR5

частина: 214

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 700MHz ~ 1.3GHz, Посилення: 19.2dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 10µA,

ON4970,115

частина: 6360

MRFE6VP61K25GNR6

частина: 549

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 23dB, Напруга - тест: 50V,

MRF7S38010HR3

частина: 6390

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 30V,

MRF7S19100NR1

частина: 6341

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRFG35003M6T1

частина: 6343

Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 9dB, Напруга - тест: 6V,

MRF6S19100MR1

частина: 6313

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 14.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF7S18125AHSR5

частина: 4686

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P20140WHR5

частина: 6206

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6VP41KHSR6

частина: 6312

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 450MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V2300NBR1

частина: 1206

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 25.5dB, Напруга - тест: 50V,

MRFG35005NR5

частина: 6355

Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 12V,

MRF9135LR5

частина: 6311

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 17.8dB, Напруга - тест: 26V,

MRF7S38075HSR3

частина: 6336

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 30V,

MRF5S9100MR1

частина: 6300

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 19.5dB, Напруга - тест: 26V,

MRF6S9130HR3

частина: 6295

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 19.2dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6S21060MBR1

частина: 6255

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.12GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6VP121KHR6

частина: 6366

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MRF7S21110HR5

частина: 6303

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 17.3dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6S9125NBR1

частина: 6257

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 20.2dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8S18120HSR3

частина: 1586

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6S23140HR3

частина: 6040

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.39GHz, Посилення: 15.2dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6S27085HSR5

частина: 4634

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.66GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF9080LR3

частина: 6090

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 26V,

MRF6V2010NBR1

частина: 6256

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 23.9dB, Напруга - тест: 50V,

MRF9210R3

частина: 6334

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 26V,

MRF7S21150HSR3

частина: 938

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF6S23140HSR5

частина: 6331

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.39GHz, Посилення: 15.2dB, Напруга - тест: 28V,