Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

MRF8S21140HR5

частина: 6433

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 17.9dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1004GNR1

частина: 5113

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1024HSR5

частина: 737

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.5GHz, Посилення: 14.1dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P20100HSR5

частина: 4692

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.03GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1310HR5

частина: 1080

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 26.5dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S21140HSR5

частина: 6352

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 17.9dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1304NR1

частина: 3808

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 25.4dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1305HSR5

частина: 1146

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 512MHz, Посилення: 26dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6V12250HR5

частина: 344

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.03GHz, Посилення: 20.3dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6VP3450HR5

частина: 564

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 22.5dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1013HSR5

частина: 332

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.9GHz, Посилення: 13.3dB, Напруга - тест: 30V,

MMRF1306HSR5

частина: 355

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 24dB, Напруга - тест: 50V,

MW6S010NR1

частина: 6613

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1314HR5

частина: 193

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.4GHz, Посилення: 17.7dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S21140HSR3

частина: 5470

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 17.9dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE8VP8600HSR5

частина: 195

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 20µA,

MMRF1020-04NR3

частина: 452

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 920MHz, Посилення: 19.5dB, Напруга - тест: 48V,

MRF8S9202GNR3

частина: 934

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 920MHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1008HR5

частина: 423

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.03GHz, Посилення: 20.3dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S21100HR3

частина: 6402

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18.3dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P9300HSR6

частина: 702

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 960MHz, Посилення: 19.4dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE6VP5150GNR1

частина: 2747

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 26.1dB, Напруга - тест: 50V,

MMRF1006HSR5

частина: 234

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 450MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P23080HSR3

частина: 1387

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.3GHz, Посилення: 14.6dB, Напруга - тест: 28V,

ON5154,127

частина: 6375

MRF6V12500HSR5

частина: 235

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.03GHz, Посилення: 19.7dB, Напруга - тест: 50V,

MRF6VP3091NBR1

частина: 1555

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P20160HSR5

частина: 6412

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.92GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8S9260HR5

частина: 6361

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.6dB, Напруга - тест: 28V,

ON5520,215

частина: 6405

MMRF1005HSR5

частина: 431

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.3GHz, Посилення: 22.7dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8S26060HR5

частина: 6392

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.69GHz, Посилення: 16.3dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P9210NR3

частина: 1074

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 960MHz, Посилення: 16.8dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE6VP5600HSR6

частина: 6410

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 25dB, Напруга - тест: 50V,

MRFE6S9046GNR1

частина: 3362

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1018NR1

частина: 1550

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,