Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS25LQ080B-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080B-JBLE-TR

частина: 2329

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS42S32160F-6TL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160F-6TL-TR

частина: 5639

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
IS64WV25616EDBLL-10BA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV25616EDBLL-10BA3

частина: 2653

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS29LV032T-70TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS29LV032T-70TLI

частина: 1438

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS64WV6416BLL-15BA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV6416BLL-15BA3

частина: 3821

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16320F-7BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-7BLA1

частина: 4421

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS62WV6416DBLL-45TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV6416DBLL-45TLI-TR

частина: 3717

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS43LD32320A-3BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32320A-3BLI-TR

частина: 2127

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLP51218A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP51218A-200TQLI

частина: 5157

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS43LD32320A-25BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32320A-25BLI

частина: 5365

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS66WVE2M16EBLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16EBLL-55BLI

частина: 7470

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS64WV51216EDBLL-10BLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV51216EDBLL-10BLA3

частина: 5314

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43TR85120AL-15HBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120AL-15HBLI

частина: 4572

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

частина: 2634

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43TR85120A-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120A-125KBLI

частина: 4180

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LQ080-JVLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080-JVLE

частина: 4485

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS25LQ016B-JKLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ016B-JKLE

частина: 46370

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS43DR16128B-25EBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128B-25EBLI-TR

частина: 2463

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16128A-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128A-3DBLI

частина: 3869

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16128B-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128B-3DBL

частина: 2534

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS66WVE4M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16BLL-70BLI

частина: 4402

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS61LPS25636A-200TQ2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200TQ2LI

частина: 5120

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61LF102418B-7.5TQ-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF102418B-7.5TQ-TR

частина: 2123

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR

частина: 4236

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS29LV032B-70TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS29LV032B-70TLI

частина: 22709

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS42S86400F-6TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S86400F-6TLI

частина: 4560

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61NLP204818A-166TQ
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP204818A-166TQ

частина: 2604

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS64WV6416BLL-15BA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV6416BLL-15BA3-TR

частина: 3837

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LQ080B-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080B-JNLE

частина: 1306

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS66WVE2M16DBLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16DBLL-70BLI

частина: 4315

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64LPS102436B-166B2LA3-TR

частина: 3688

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61LPS25636A-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200B3LI

частина: 5141

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS66WVC4M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVC4M16ALL-7010BLI

частина: 4150

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS61VPS51236B-200B3LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPS51236B-200B3LI-TR

частина: 5520

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS42S32160D-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160D-6BLI-TR

частина: 4449

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61NLP102418B-200B3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP102418B-200B3L

частина: 5041

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань