Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS61NVP25636A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP25636A-200TQLI

частина: 5154

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS46LR16320B-6BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46LR16320B-6BLA2

частина: 4367

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS25LQ080B-JKLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080B-JKLE

частина: 77101

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS25LQ080-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080-JNLE-TR

частина: 6295

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS61WV102416FBLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416FBLL-10TLI

частина: 65

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR

частина: 4232

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS45S16320F-7TLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-7TLA1

частина: 4636

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46TR16256AL-125KBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256AL-125KBLA1-TR

частина: 4358

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR85120AL-15HBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120AL-15HBL

частина: 4540

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LD16640A-3BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD16640A-3BL-TR

частина: 2144

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LD32320A-3BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32320A-3BL

частина: 2088

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (32M x 32), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LPS51218A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51218A-200TQLI

частина: 5192

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61LPS25636B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636B-200TQLI

частина: 5183

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS42S32160F-6TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160F-6TLI-TR

частина: 5101

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
IS43DR16128B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128B-3DBLI

частина: 2535

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LQ016B-JLLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ016B-JLLE-TR

частина: 2337

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR

частина: 2593

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR

частина: 7530

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43LR32640A-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32640A-6BL

частина: 3735

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16128A-3DBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16128A-3DBLA2

частина: 2956

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51236B-6.5TQLI-TR

частина: 5612

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS71LD32160WP128-3BPLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS71LD32160WP128-3BPLI

частина: 3063

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH - NOR, DRAM - LPDDR2, Обсяг пам'яті: 128Mb Flash, 512Mb DRAM, Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

частина: 2645

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV51216BLL-10MLA3-TR

частина: 5068

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS66WV51216DBLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV51216DBLL-55BLI

частина: 4007

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR

частина: 3899

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS25LQ080B-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080B-JBLE

частина: 1262

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS61VPS25636A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPS25636A-200TQLI

частина: 5159

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS42S32160D-6BI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160D-6BI-TR

частина: 4308

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR

частина: 4328

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS42S32160F-75ETLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160F-75ETLI-TR

частина: 4738

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS61NLP25636A-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200B3LI

частина: 5082

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS25LQ040-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ040-JBLE-TR

частина: 4431

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 700µs,

Список побажань
IS25LQ080-JVLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080-JVLE-TR

частина: 4561

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS66WV51216DBLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV51216DBLL-70BLI

частина: 4062

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS25LQ080B-JNLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080B-JNLE-TR

частина: 2391

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань