Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS62WV102416BLL-25MLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416BLL-25MLI-TR

частина: 4737

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS25LQ512B-JULE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ512B-JULE-TR

частина: 8219

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS61LPS102418B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS102418B-200B3LI

частина: 4811

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61LPS25636A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200TQI

частина: 4688

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61NLF25636A-7.5TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF25636A-7.5TQI

частина: 4652

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61NVP51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP51236B-200B3LI

частина: 4856

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61WV51232BLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51232BLL-10BLI-TR

частина: 4702

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (512K x 32), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61NLF102418B-7.5TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF102418B-7.5TQLI

частина: 4619

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61WV51216BLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216BLL-10TLI

частина: 4860

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61LF51218A-7.5TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51218A-7.5TQLI

частина: 4673

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS43DR16128C-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16128C-3DBLI

частина: 3550

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LF51218A-7.5TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51218A-7.5TQI

частина: 4678

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS25LQ010B-JDLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ010B-JDLE

частина: 8197

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS61LPS25636A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200TQLI

частина: 4638

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS45S16320D-7BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320D-7BLA1-TR

частина: 4089

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS64WV51216BLL-10CTLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV51216BLL-10CTLA3

частина: 4861

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS25WQ040-JVLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WQ040-JVLE-TR

частина: 7892

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS62WV102416BLL-25TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416BLL-25TLI-TR

частина: 4759

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS46TR16256AL-15HBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256AL-15HBLA1

частина: 4090

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61LPS102418B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS102418B-200TQLI

частина: 4585

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS46LR32160B-6BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46LR32160B-6BLA2

частина: 4006

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS45S16320D-7TLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320D-7TLA1

частина: 3797

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46TR16256A-15HBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256A-15HBLA2-TR

частина: 4008

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S16320F-7BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-7BL

частина: 4213

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS42S16320F-7BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320F-7BLI

частина: 3897

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS25WQ020-JVLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WQ020-JVLE-TR

частина: 8227

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS61VPS51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPS51236B-200B3LI

частина: 4812

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61NLP102418B-250B3L-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP102418B-250B3L-TR

частина: 4687

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61NLP25636A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200TQI

частина: 4641

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS46TR16256A-125KBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256A-125KBLA2-TR

частина: 3809

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NVP51236B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP51236B-200TQLI

частина: 4579

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS25LQ080-JKLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ080-JKLE-TR

частина: 4525

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1ms,

Список побажань
IS66WVC2M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVC2M16ALL-7010BLI

частина: 6461

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR

частина: 4357

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS61WV51216EDBLL-10BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDBLL-10BLI

частина: 5254

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61WV102416ALL-20MI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416ALL-20MI-TR

частина: 4587

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань