Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS42S86400B-7TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S86400B-7TLI-TR

частина: 5057

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS62WV5128DBLL-45TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DBLL-45TLI-TR

частина: 3480

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS49NLC93200-33BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLC93200-33BI

частина: 715

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (32M x 9), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань
IS42VM16800G-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16800G-6BLI

частина: 5806

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61NVF51236-6.5TQL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVF51236-6.5TQL

частина: 2461

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43TR16128AL-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128AL-125KBLI

частина: 5627

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV51216EDBLL-10CTLA3

частина: 5426

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43LR32400F-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32400F-6BL

частина: 7026

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42VM16400K-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16400K-6BLI

частина: 5736

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43DR16160A-25EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16160A-25EBL

частина: 6170

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32160F-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160F-6BL

частина: 4891

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
IS42S83200D-75ETLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200D-75ETLI

частина: 4958

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS25LQ010A-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ010A-JNLE

частина: 2094

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 400µs,

Список побажань
IS42VM32400G-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32400G-75BLI

частина: 6057

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43LR16800F-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16800F-6BL-TR

частина: 6927

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV5128BLS-25TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLS-25TLI-TR

частина: 6389

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS61WV51216EDBLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216EDBLL-10TLI

частина: 5526

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S32400E-7BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400E-7BLA1

частина: 8813

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS25LD020-JVLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD020-JVLE-TR

частина: 2021

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
IS25LD040-JBLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD040-JBLE-TR

частина: 2040

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
IS43LR32100C-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32100C-6BLI-TR

частина: 6938

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 32Mb (1M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS42S16100F-6TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-6TLI-TR

частина: 3835

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43TR16640A-125JBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16640A-125JBLI-TR

частина: 10584

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61DDB21M36-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61DDB21M36-250M3L

частина: 1919

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
IS25WD020-JVLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WD020-JVLE-TR

частина: 2358

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3ms,

Список побажань
IS62WV5128DBLL-45HLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DBLL-45HLI-TR

частина: 3419

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS42VM16400K-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16400K-75BLI-TR

частина: 5827

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS62WV6416DBLL-45BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV6416DBLL-45BLI

частина: 3659

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS41C16105C-50KLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41C16105C-50KLI

частина: 2699

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - FP, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань
IS43LR16200C-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16200C-6BL-TR

частина: 6693

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS42S16100F-6TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-6TLI

частина: 3807

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61WV102416ALL-20MI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416ALL-20MI

частина: 2942

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань
IS43TR16640AL-125JBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16640AL-125JBLI

частина: 9602

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25CD512-JULE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25CD512-JULE-TR

частина: 1988

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань
IS42S16100F-5TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-5TL

частина: 3649

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61WV5128BLL-10BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV5128BLL-10BI

частина: 2939

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань