Пам'ять

IS49NLC96400-33BLI

частина: 988

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (64M x 9), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS18160-25BI

частина: 1074

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS18160-25BL

частина: 1052

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160B-6TLI

частина: 4592

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616DALL-55TL

частина: 4195

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32800E-75BLI-TR

частина: 5665

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-7TLI

частина: 3947

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-6BLI

частина: 3758

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16800G-75BLI-TR

частина: 5880

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800E-6TLA1-TR

частина: 8467

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS93200-33BLI

частина: 1667

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (32M x 9), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16800G-75BI-TR

частина: 2934

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS96400-25BI

частина: 1616

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (64M x 9), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16400K-6BLI-TR

частина: 5173

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16160A-37CBLI-TR

частина: 6336

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 266MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16100E-7BLA1-TR

частина: 7942

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

частина: 99

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32800F-6BLI-TR

частина: 7031

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32400G-75BLI-TR

частина: 5481

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320B-7BLA1

частина: 8244

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR

частина: 3343

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400E-6TLA1

частина: 8734

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320B-6TLI-TR

частина: 4253

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-6CTLA1-TR

частина: 4837

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160F-6BLI-TR

частина: 5003

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR

частина: 5379

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV2568DBLL-45HLI-TR

частина: 3309

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16257C-35TLI-TR

частина: 3046

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - FP, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16),

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61QDPB42M36A2-550B4L

частина: 2413

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Quad Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 72Mb (2M x 36), Тактова частота: 550MHz,