Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43TR85120AL-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120AL-125KBLI

частина: 4077

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32160F-75ETLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160F-75ETLI

частина: 4253

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS46TR16256AL-125KBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256AL-125KBLA1

частина: 3963

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61WV10248BLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV10248BLL-10TLI

частина: 4861

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S16320F-6CTLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-6CTLA1

частина: 4321

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
IS61NLP25636A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200TQLI

частина: 4647

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS64WV10248BLL-10CTLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV10248BLL-10CTLA3

частина: 4851

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61VPS51236B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPS51236B-200TQLI

частина: 4593

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61WV102416EDBLL-10T2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416EDBLL-10T2LI

частина: 115

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61LPS51218A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS51218A-200TQI

частина: 4694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (512K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61VPS102418B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPS102418B-200TQLI

частина: 126

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61WV102416BLL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416BLL-10TLI-TR

частина: 4740

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS62WV20488BLL-25MLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV20488BLL-25MLI-TR

частина: 4696

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS42S16320D-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320D-6BLI

частина: 4141

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61LF51236B-7.5B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51236B-7.5B3LI

частина: 119

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS45S16320F-6BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-6BLA1

частина: 4332

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
IS61LPS25636A-200TQ2I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200TQ2I

частина: 4730

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS61NLF51236B-7.5TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF51236B-7.5TQLI

частина: 4612

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS25LQ020B-JDLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ020B-JDLE

частина: 8144

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS61WV102416FBLL-8TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416FBLL-8TLI

частина: 108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань
IS25LQ025B-JDLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ025B-JDLE

частина: 8157

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS61WV20488BLL-10MLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV20488BLL-10MLI-TR

частина: 4683

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS46DR16128C-3DBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16128C-3DBLA2

частина: 3349

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46TR16256A-125KBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16256A-125KBLA1

частина: 4128

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS21ES04G-JCLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS21ES04G-JCLI

частина: 3700

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (MLC), Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS25LQ512B-JDLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ512B-JDLE

частина: 8207

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS61LF25636A-7.5TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF25636A-7.5TQI

частина: 4673

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61VF51236B-7.5TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VF51236B-7.5TQLI

частина: 4635

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS61WV20488BLL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV20488BLL-10TLI-TR

частина: 4761

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS42S16320D-7TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320D-7TL

частина: 4204

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61WV102416EDBLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416EDBLL-10TLI

частина: 140

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS61WV51216BLL-10MLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216BLL-10MLI

частина: 4674

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS42S32160D-7BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160D-7BLI

частина: 4079

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS61WV102416DBLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416DBLL-10TLI

частина: 4744

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS62WV20488BLL-25TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV20488BLL-25TLI-TR

частина: 4734

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS42S32160D-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160D-6BLI

частина: 3913

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань