Пам'ять

CY7C1383KV33-133AXI

частина: 2812

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

S99PL127J0250 P

частина: 6475

S70PL254J00BAWA20

частина: 6420

CY14B104NA-ZS25XIT

частина: 2956

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S29WS128N0LBFW013

частина: 10011

S70GL02GS12FHB020

частина: 179

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

CY7C1321KV18-250BZC

частина: 1624

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

S99PL064J0090

частина: 6234

CY7C1061G-10BVJXIT

частина: 2972

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY14V101LA-BA25XI

частина: 3034

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S99GL512M0040

частина: 5123

S70WS512N00BAWAA2

частина: 382

CY14B104M-ZSP45XI

частина: 2455

S71PL032J40BAW0K0

частина: 5842

CY7C1370KV33-167AXC

частина: 2864

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

S71PL064JA0BAW0Z0A

частина: 4640

S70WS512N00BAWAA0

частина: 361

CY7C1373KV33-133AXI

частина: 2805

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 133MHz,

CY7C1061GN30-10ZXIT

частина: 2935

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1061GE18-15ZXI

частина: 2368

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1061G18-15BVXIT

частина: 2921

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

S99PDL128G

частина: 771

CY7C1381KV33-100AXC

частина: 2936

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 100MHz,

S29WS128N0LBAW013

частина: 9986

CY14B101KA-SP45XI

частина: 2973

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1061G18-15ZXI

частина: 2412

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1392KV18-250BZXC

частина: 2637

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Тактова частота: 250MHz,

CY14B104NA-ZS20XIT

частина: 2926

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

S99PL127J0100

частина: 6349

S70GL02GT11FHA010

частина: 2970

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1061G30-10ZXIT

частина: 2967

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S71PL032J40BAW070B

частина: 5800

S99PL032J70BFI120

частина: 5948

CY7C1061GN18-15ZSXI

частина: 2642

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

S29PL064J60BAI120

частина: 5675

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64M (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1059DV33-12ZSXQ

частина: 75

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,