Пам'ять

CY14B104LA-ZS20XIT

частина: 2893

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

S29PL127J60TAI130

частина: 5771

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128M (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S29WS256N0SBFW012

частина: 226

S99-50031

частина: 538

CY7C1061GE-10BV1XI

частина: 2768

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S70PL254J00BAWA30

частина: 6482

S29WS128N0PBAW013

частина: 9569

CY7C1061G30-10BVXIT

частина: 2937

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1361C-100AXE

частина: 2679

CY14B104NA-BA25I

частина: 122

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S98WS768P0GFW0100B

частина: 473

S99FL032A0LMFI001

частина: 639

S71PL032J08BAW0B0C

частина: 5803

S99PL127J0160

частина: 6348

CY7C1314KV18-300BZXC

частина: 2771

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 300MHz,

CY14B104LA-ZS20XI

частина: 2728

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

S99AL032DU

частина: 597

CY7C1370SV25-200AXC

частина: 2434

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1069G-10ZSXI

частина: 2733

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1061G-10ZSXIT

частина: 2969

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1061G-10BVXI

частина: 2749

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1061GE18-15BVJXIT

частина: 2970

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1069G30-10BVXIT

частина: 2915

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S4012001270B0C010

частина: 236

VS2FL008A0LMAI001

частина: 880

CY14B104NA-ZSP45XI

частина: 2662

CY7C1370KV33-167BZXC

частина: 3177

S29WS128N0PBFW012

частина: 120

S71PL064JA0BFW0Z0

частина: 5909

S99PL127J0040

частина: 6318

S70PL254J00BFWA20G

частина: 6542

S29PL032J60BFI120A

частина: 6094

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1061GE-10BVXIT

частина: 2929

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

SX-3130-1658

частина: 5615

CY7C1061GE18-15BV1XI

частина: 2809

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1061GE-10ZXIT

частина: 2944

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,