Пам'ять

CY7C1069G-10BVXIT

частина: 2986

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S39MS01GR25WPW009

частина: 192

S29PL064J60BFI120L

частина: 6189

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64M (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1012AV33-8BGCT

частина: 2580

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 12Mb (512K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

CY7C1393KV18-333BZI

частина: 2542

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 333MHz,

CY7C1061GE30-10BV1XI

частина: 2828

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

V29F010B-120PC

частина: 879

CY7C1061GE-10ZXI

частина: 2436

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S29PL127J60TDI130H

частина: 6233

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128M (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S99PL127J0030A

частина: 5968

QMP29GL064A90TFIR20

частина: 9500

S99PL064J0010

частина: 5970

S29PL064J60BAI120A

частина: 5720

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64M (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S99LV065D

частина: 795

CY7C1318KV18-250BZXI

частина: 2648

CY62177EV30LL-55BAXIT

частина: 2519

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CY7C1373KV33-100AXC

частина: 2723

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 100MHz,

CY14B104NA-BA25IT

частина: 127

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1069G-10ZSXIT

частина: 2994

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1061G-10BV1XIT

частина: 2927

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

V25FL032A0LMFI001

частина: 802

CY7C1370SV25-167AXC

частина: 2450

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

VM29DL800BT-120WBC

частина: 874

CY14B104NA-BA45XE

частина: 2631

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S29PL127J60BAI000A

частина: 6258

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128M (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1061GE18-15BVJXI

частина: 2838

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1145KV18-400BZXCT

частина: 2492

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 400MHz,

CY7C1318KV18-250BZI

частина: 3411

CY7C1372DV25-167AXC

частина: 2556

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1380KV33-167AXC

частина: 2540

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1061GE18-15BVXIT

частина: 2966

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

S29PL032J60BFI123A

частина: 6081

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1061G-10BV1XI

частина: 2778

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1911KV18-250BZC

частина: 2705

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (2M x 9), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1061GE30-10ZSXIT

частина: 2920

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

VM29DL640H90WHI

частина: 5120