Пам'ять

CY7C1313KV18-250BZXI

частина: 2629

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1382KV33-200AXC

частина: 2860

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

S29PL127J70TFI130H

частина: 4670

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128M (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

CY14B101KA-SP25XI

частина: 2870

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1370KV25-200AXC

частина: 2834

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

V29F400BT-150SC

частина: 935

S99F032B

частина: 672

CY7C1312KV18-300BZXCT

частина: 2996

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 300MHz,

CY7C1061G18-15BV1XIT

частина: 2359

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1314KV18-250BZI

частина: 2628

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1061GE-10ZSXI

частина: 2756

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1370KV33-200AXC

частина: 2797

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

S29PL032J70BAW120A

частина: 6051

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S99DL324D

частина: 563

FM28V100-TG

частина: 2870

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

S70GL02GT11FHB010

частина: 3417

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1061G-10ZXI

частина: 2426

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY7C1145LV18-400BZXC

частина: 167

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 400MHz,

CY7C1061GE30-10BVJXIT

частина: 2987

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S99GL016A

частина: 680

S98WS512N0GFW0090F

частина: 397

CY7C1370D-167AXC

частина: 2439

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1163KV18-400BZI

частина: 2336

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 400MHz,

CY14B101KA-ZS45XI

частина: 2937

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY7C1381KV33-133AXI

частина: 2505

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

CY14B101LA-SP45XI

частина: 2774

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY7C1061G-10BVJXI

частина: 2791

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S29PL064J70BAW120A

частина: 6165

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64M (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S29PL032J55BFI120L

частина: 6062

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S4013001270B0C020

частина: 299

CY7C1386KV33-200AXC

частина: 2906

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

CY7C1314KV18-250BZXI

частина: 2718

S70GL02GS12FHBV20

частина: 158

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

CY7C1051H30-10ZSXIT

частина: 2979

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S99GL032AU

частина: 5162

CY7C024E-25AXC

частина: 3493

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (4K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,