Пам'ять

S29WS128N0SBAW012

частина: 159

CY7C0251AV-25AC

частина: 2890

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 144Kb (8K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S99PL127J0240 P

частина: 6467

CY14B101KA-ZS25XI

частина: 2850

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

S34ML01G200TFI003

частина: 7917

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C1318KV18-250BZC

частина: 2718

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CYD09S36V18-WW14

частина: 4540

FM28V102A-TG

частина: 3269

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

FM28V202A-TGTR

частина: 3307

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

S70GL02GT11FHB013

частина: 3453

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY14V104NA-BA25XIT

частина: 131

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY7C024AV-20AXCT

частина: 4409

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (4K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

S70GL02GT12FHAV10

частина: 156

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CG7811AAT

частина: 4380

CY14V104NA-BA45XI

частина: 3183

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG8239AAT

частина: 4433

CG7813AA

частина: 4417

S70GL02GT11FHI010

частина: 2978

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1312KV18-250BZXCT

частина: 3256

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CY7C006A-WW14

частина: 4484

CY62167G30-45BVXI

частина: 3144

CY7C1312KV18-250BZCT

частина: 3220

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1315KV18-250BZCT

частина: 2983

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY14B101LA-ZS45XI

частина: 3535

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY7C1361KVE33-133AXM

частина: 3366

CY7C1381KVE33-133AXIT

частина: 3150

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 133MHz,

CY14B104NA-BA45XIT

частина: 3120

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY14B104NA-ZS45XIT

частина: 3052

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CY14V101NA-BA25XI

частина: 3169

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CG7905AAT

частина: 4334

CY62177EV18LL-70BAXIT

частина: 3246

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S70GL02GS12FHBV23

частина: 7360

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

CY14V104LA-BA25XIT

частина: 3330

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14B104K-ZS25XIT

частина: 3356

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14B104NA-BA25XIT

частина: 3051

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

CY14B104M-ZSP25XIT

частина: 3341

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,