Пам'ять

CY7C1320KV18-250BZXI

частина: 2322

CY7C1061GE18-15BVXI

частина: 2842

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

S71PL127JB0BFWQB0G

частина: 5940

S98WS512N0GFW0130G

частина: 477

S29WS128N0PBFW010

частина: 68

CY7C1387KV33-167AXC

частина: 2876

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1380KV33-200AXC

частина: 2540

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 200MHz,

CY14V104NA-BA25XI

частина: 4529

S70PL254J00BFWA20F

частина: 6510

C08-0586-0001-0

частина: 5534

S29PL032J70BAI120A

частина: 6092

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

S70WS512N00BFWAB3

частина: 421

CY7C1061GN18-15ZSXIT

частина: 2942

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

CY7C1313KV18-250BZC

частина: 1621

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1380KV33-167AXIT

частина: 2685

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1372KVE33-167AXI

частина: 2513

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 167MHz,

S98WS512N0GFW0090

частина: 379

CY15B104Q-SXI

частина: 2775

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 40MHz,

CY7C1311KV18-250BZC

частина: 2714

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (2M x 8), Тактова частота: 250MHz,

V29F040B-150JC

частина: 797

CY7C1372KV33-200AXC

частина: 2896

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 200MHz,

CY7C1381KV33-100BZXI

частина: 2453

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 100MHz,

S40125MM270B0S010

частина: 221

CY15B104Q-LHXI

частина: 2732

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 40MHz,

P770040BFWC052 XF

частина: 9741

CY7C1034DV33-10BGXIT

частина: 2925

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 6Mb (256K x 24), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

S40135MM270B0S020

частина: 286

CY7C1321KV18-250BZXC

частина: 2682

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1371KV33-100AXC

частина: 2553

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 100MHz,

S98WS512N0GFW0130

частина: 445

CY7C1061G18-15BVXI

частина: 2798

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

S29PL127J70TAI130D

частина: 6278

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128M (8M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

CY14B104NA-BA45XET

частина: 2771

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

S99PL127J0090

частина: 6366

CY7C1051DV33-12ZSXI

частина: 2873

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

CY14B101LA-SZ45XI

частина: 2727

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,