Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

CY7C135-15JXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C135-15JXC

частина: 1883

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Kb (4K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
CY7C1413KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1413KV18-300BZC

частина: 1472

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань
CY7C1370KV25-167BZI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1370KV25-167BZI

частина: 2279

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
CY7C1413KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1413KV18-250BZXI

частина: 1514

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY7C1308SV25C-167BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1308SV25C-167BZXC

частина: 2163

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
CY7C028V-25AXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C028V-25AXC

частина: 1431

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
CY7C1168KV18-550BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1168KV18-550BZXC

частина: 1412

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 550MHz,

Список побажань
CY7C1049B-15VC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1049B-15VC

частина: 8223

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
CY7S1061G30-10ZSXIT
Cypress Semiconductor Corp

CY7S1061G30-10ZSXIT

частина: 2174

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
CY14B104NA-BA45XI
Cypress Semiconductor Corp

CY14B104NA-BA45XI

частина: 2137

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
CY7C1245KV18-400BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1245KV18-400BZC

частина: 1578

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань
CY6264-70SNC
Cypress Semiconductor Corp

CY6264-70SNC

частина: 8835

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 64Kb (8K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
CY7C0251-15AC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C0251-15AC

частина: 9057

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Обсяг пам'яті: 144Kb (8K x 18), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
CY7C1462BV25-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1462BV25-250BZXC

частина: 1246

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY7C1420KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1420KV18-250BZC

частина: 1536

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY7C1425KV18-250BZCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1425KV18-250BZCT

частина: 2208

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (4M x 9), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY14B104NA-ZS20XI
Cypress Semiconductor Corp

CY14B104NA-ZS20XI

частина: 2683

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань
CY14B108N-ZSP45XIT
Cypress Semiconductor Corp

CY14B108N-ZSP45XIT

частина: 2163

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
CY14B108K-ZS25XIT
Cypress Semiconductor Corp

CY14B108K-ZS25XIT

частина: 1695

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
CY7C1163KV18-550BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1163KV18-550BZC

частина: 1553

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 550MHz,

Список побажань
CY7C1380KV33-167AXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1380KV33-167AXI

частина: 1949

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань
CY7C1420KV18-250BZCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1420KV18-250BZCT

частина: 2219

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY7C1170KV18-450BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1170KV18-450BZXC

частина: 2068

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 450MHz,

Список побажань
CY14B108L-ZS25XIT
Cypress Semiconductor Corp

CY14B108L-ZS25XIT

частина: 1408

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
FM22L16-55-TG
Cypress Semiconductor Corp

FM22L16-55-TG

частина: 1908

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 110ns,

Список побажань
CY7C1418KV18-250BZCT
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1418KV18-250BZCT

частина: 2239

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY7C1462KV25-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1462KV25-250BZXC

частина: 1644

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань
CY7C1911KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1911KV18-300BZC

частина: 2154

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (2M x 9), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань
CY7C1270KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1270KV18-400BZXC

частина: 1276

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань
CY7C1423KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1423KV18-300BZXC

частина: 1397

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань
CY7S1061GE30-10BVXI
Cypress Semiconductor Corp

CY7S1061GE30-10BVXI

частина: 2080

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
CY7C09569V-100AC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C09569V-100AC

частина: 9263

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 576Kb (16K x 36), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань
CY7C1312KV18-333BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312KV18-333BZC

частина: 1936

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 333MHz,

Список побажань
CY7C1243KV18-450BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1243KV18-450BZC

частина: 1355

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II+, Обсяг пам'яті: 36Mb (2M x 18), Тактова частота: 450MHz,

Список побажань
CY62177EV30LL-55ZXIT
Cypress Semiconductor Corp

CY62177EV30LL-55ZXIT

частина: 1836

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
CY7C1460KV25-250BZC
Cypress Semiconductor Corp

CY7C1460KV25-250BZC

частина: 1531

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань