Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.5A (Ta), 52A (Tc), Приводна напруга: 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide),
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810 mOhm @ 4A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Ta), Приводна напруга: 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 38V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 20V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Ta), 47A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: SiCFET (Silicon Carbide), Слив до джерела напруги (Vdss): 700V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 10A, 20V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 7.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V,