Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.9A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 26A (Ta), 32A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), 46A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 13.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 45A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), 50A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 195A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 187A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 105A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 95A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 95A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 375A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 96A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 523A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 72A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 46A (Ta), 270A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 200A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 99A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 190A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 375A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,