Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

APT7F80K

частина: 366

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT8014JLL

частина: 369

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT6M100K

частина: 416

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT75M50B2

частина: 5052

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

частина: 373

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60M80L2VRG

частина: 2032

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60M75JVFR

частина: 394

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 62A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT60M75L2LLG

частина: 1781

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5F100K

частина: 412

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 3A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT58M50J

частина: 2293

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 58A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT55M65JFLL

частина: 338

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 63A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT55M50JFLL

частина: 379

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 77A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5510JFLL

частина: 6039

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 550V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5016BFLLG

частина: 6194

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT5018BLLG

частина: 366

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT4M120K

частина: 398

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT4F120K

частина: 409

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT45M100J

частина: 1471

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT41M80L

частина: 4379

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT40M70JVFR

частина: 385

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT40M70LVFRG

частина: 350

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 57A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT34F60BG

частина: 5675

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT40M35JVFR

частина: 357

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 93A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT32M80J

частина: 2341

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 24A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT31N80JC3

частина: 403

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT31M100B2

частина: 4176

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT31N60BCSG

частина: 325

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30M85SVFRG

частина: 386

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30M85BVFRG

частина: 318

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30M70SVRG

частина: 372

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT30M40B2VFRG

частина: 318

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 300V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT29F100L

частина: 3918

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT26F120L

частина: 2571

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT23F60B

частина: 13424

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT22F120B2

частина: 3405

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

До побажання

Microsemi Corporation

APT22F120L

частина: 3400

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

До побажання