Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

APT20N60BC3G

APT20N60BC3G

частина: 316

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

До побажання
APT20N60SC3G

APT20N60SC3G

частина: 333

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

До побажання
APT20M38BVFRG

APT20M38BVFRG

частина: 403

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 67A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
APT20M38SVFRG

APT20M38SVFRG

частина: 6088

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 67A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
APT20M19JVR

APT20M19JVR

частина: 380

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 112A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
APT20F50B

APT20F50B

частина: 325

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

частина: 345

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

До побажання
APT15F60B

APT15F60B

частина: 11766

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

частина: 399

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

До побажання
APT15F50K

APT15F50K

частина: 6034

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання
APT14050JVFR

APT14050JVFR

частина: 391

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 11.5A, 10V,

До побажання
APT12M80B

APT12M80B

частина: 14299

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання
APT12F60K

APT12F60K

частина: 403

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

До побажання
APT12031JFLL

APT12031JFLL

частина: 1030

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

частина: 389

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V,

До побажання
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

частина: 5648

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

частина: 362

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

До побажання
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

частина: 2521

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 11.5A, 10V,

До побажання
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

частина: 349

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

частина: 359

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

До побажання
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

частина: 6224

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

До побажання
APL602J

APL602J

частина: 1144

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Приводна напруга: 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 21.5A, 12V,

До побажання
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

частина: 6104

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання
APL1001J

APL1001J

частина: 396

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1000V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

До побажання
APT38M50J

APT38M50J

частина: 3133

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V,

До побажання
AUIRF7675M2TR

AUIRF7675M2TR

частина: 91953

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.4A (Ta), 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 11A, 10V,

До побажання
AUIRF8736M2TR

AUIRF8736M2TR

частина: 53482

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Ta), 137A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 85A, 10V,

До побажання
AUIRF7640S2TR

AUIRF7640S2TR

частина: 145553

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), 21A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 13A, 10V,

До побажання
AUIRFR5305

AUIRFR5305

частина: 38431

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 16A, 10V,

До побажання
AUXHMF7321D2

AUXHMF7321D2

частина: 9783

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.9A, 10V,

До побажання
AOD4S60

AOD4S60

частина: 144102

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

До побажання
AOD3N50

AOD3N50

частина: 102316

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.8A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

До побажання
AON7296

AON7296

частина: 171842

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), 12.5A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
AON7400B

AON7400B

частина: 159619

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання
AON2403

AON2403

частина: 118844

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V,

До побажання
AON6262E

AON6262E

частина: 175488

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання