Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

ATP613-TL-H
ON Semiconductor

ATP613-TL-H

частина: 1112

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V,

До побажання
ATP218-TL-H
ON Semiconductor

ATP218-TL-H

частина: 1158

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 4.5V,

До побажання
ATP216-TL-H
ON Semiconductor

ATP216-TL-H

частина: 1164

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 18A, 4.5V,

До побажання
ATP214-TL-H
ON Semiconductor

ATP214-TL-H

частина: 1167

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 38A, 10V,

До побажання
ATP107-TL-H
ON Semiconductor

ATP107-TL-H

частина: 1106

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
ATP201-TL-H
ON Semiconductor

ATP201-TL-H

частина: 1128

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання
AOB416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB416

частина: 160428

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), 45A (Tc), Приводна напруга: 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання
AOD3T40P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3T40P

частина: 141745

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1A, 10V,

До побажання
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies

AUIRLR3705Z

частина: 981

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V,

До побажання
AUIRLR3410
Infineon Technologies

AUIRLR3410

частина: 997

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання
AUIRLR2905Z
Infineon Technologies

AUIRLR2905Z

частина: 1003

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V,

До побажання
AUIRLR2703
Infineon Technologies

AUIRLR2703

частина: 5610

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання
AUIRLR2905
Infineon Technologies

AUIRLR2905

частина: 1043

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
AUIRL3705ZS
Infineon Technologies

AUIRL3705ZS

частина: 1023

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 52A, 10V,

До побажання
AUIRFZ48ZS
Infineon Technologies

AUIRFZ48ZS

частина: 1036

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 61A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

До побажання
AUIRFZ44ZS
Infineon Technologies

AUIRFZ44ZS

частина: 988

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 51A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

До побажання
AUIRFU4104
Infineon Technologies

AUIRFU4104

частина: 78750

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V,

До побажання
AUIRFZ44VZS
Infineon Technologies

AUIRFZ44VZS

частина: 1037

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 57A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

До побажання
AUIRFSL4310
Infineon Technologies

AUIRFSL4310

частина: 31829

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

До побажання
AUIRFS4610
Infineon Technologies

AUIRFS4610

частина: 1076

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 73A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V,

До побажання
AUIRFS4310
Infineon Technologies

AUIRFS4310

частина: 1062

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

До побажання
AUIRFR6215
Infineon Technologies

AUIRFR6215

частина: 1040

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

До побажання
AUIRFR5505
Infineon Technologies

AUIRFR5505

частина: 1030

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V,

До побажання
AUIRFR48Z
Infineon Technologies

AUIRFR48Z

частина: 999

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

До побажання
AUIRFR4105
Infineon Technologies

AUIRFR4105

частина: 6159

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 16A, 10V,

До побажання
AUIRFR3710Z
Infineon Technologies

AUIRFR3710Z

частина: 1071

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V,

До побажання
AUIRFR2607ZTRL
Infineon Technologies

AUIRFR2607ZTRL

частина: 97308

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання
AUIRFR2607Z
Infineon Technologies

AUIRFR2607Z

частина: 1048

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання
AUIRFR2307Z
Infineon Technologies

AUIRFR2307Z

частина: 1010

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32A, 10V,

До побажання
AUIRFR120ZTRL
Infineon Technologies

AUIRFR120ZTRL

частина: 133486

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.2A, 10V,

До побажання
AUIRFP2907Z
Infineon Technologies

AUIRFP2907Z

частина: 20228

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 90A, 10V,

До побажання
AUIRFB3207
Infineon Technologies

AUIRFB3207

частина: 34074

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

До побажання
AUIRF540ZS
Infineon Technologies

AUIRF540ZS

частина: 998

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 22A, 10V,

До побажання
AUIRF3805S-7P
Infineon Technologies

AUIRF3805S-7P

частина: 999

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

До побажання
AUIRF3805S
Infineon Technologies

AUIRF3805S

частина: 1023

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

До побажання
AUIRF3710Z
Infineon Technologies

AUIRF3710Z

частина: 24326

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 59A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

До побажання