Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Випрямлячі - одинарні

  • Додому
  •  
  • Діоди - Випрямлячі - одинарні
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

частина: 1645

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

частина: 131336

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 100mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 620mV @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Список побажань
CLS01(TE16L,PAS,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

частина: 1424

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.47V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

частина: 1267

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 100mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Список побажань
CLS01(T6LSONY,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

частина: 1440

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.47V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CLH05(T6L,NKOD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

частина: 1359

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.98V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

частина: 1368

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
CMS03(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

частина: 1091

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

частина: 1170

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 700mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 700mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

частина: 1121

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

частина: 852

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

частина: 101221

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 510mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

частина: 779

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 470mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

частина: 186793

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 360mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

частина: 9971

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

частина: 186045

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

частина: 161979

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 360mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

частина: 122216

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 80V, Струм - середній випрямлений (Io): 215mA, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

частина: 168808

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 500mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 470mV @ 500mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

частина: 784

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 390mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

частина: 171031

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 400mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

частина: 142010

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 140mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 100mA, Швидкість: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Час зворотного відновлення (trr): 1.5ns,

Список побажань
CMS09(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

частина: 262

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 450mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

частина: 173

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 510mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CMS02(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

частина: 183

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 400mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CMS04(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

частина: 211

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 370mV @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CMS11(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

частина: 213

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

частина: 196

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 460mV @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

частина: 264

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 360mV @ 1.5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

частина: 5028

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 980mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

частина: 200

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 360mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

частина: 264

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 360mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

частина: 178

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 370mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

частина: 129014

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 370mV @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

частина: 124325

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 400mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

частина: 143420

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 500mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань