Діоди - Випрямлячі - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

частина: 193

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 700mA, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

частина: 250

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 700mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 580mV @ 700mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

частина: 223

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 100ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

частина: 162

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 490mV @ 700mA, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

частина: 183

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 700mA, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.1V @ 700mA, Швидкість: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

частина: 178

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 100ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

частина: 166

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 2A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 490mV @ 2A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

частина: 130001

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 550mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

частина: 2615

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

частина: 2547

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.55V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

частина: 2587

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.55V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

частина: 2557

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

частина: 2558

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.3V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

частина: 2588

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.98V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

частина: 2552

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

частина: 2596

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.47V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

частина: 2554

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

частина: 2598

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.98V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

частина: 2581

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.98V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

частина: 2562

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

частина: 2544

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.55V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

частина: 2597

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.55V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

частина: 2590

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 40V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.55V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

частина: 2608

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

частина: 2533

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 200V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.98V @ 3A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

частина: 2549

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 30V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.47V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

частина: 2564

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

частина: 2613

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

частина: 2603

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 3A (DC), Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

частина: 2602

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

частина: 5263

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

частина: 2547

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 5A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

частина: 2552

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 60V, Струм - середній випрямлений (Io): 10A (DC), Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 0.58V @ 10A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

частина: 5332

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 300V, Струм - середній випрямлений (Io): 5A (DC), Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

частина: 2062

Тип діода: Schottky, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 20V, Струм - середній випрямлений (Io): 1.5A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 400mV @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

частина: 102694

Тип діода: Standard, Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.): 400V, Струм - середній випрямлений (Io): 1A, Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо: 1.8V @ 1A, Швидкість: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Час зворотного відновлення (trr): 35ns,

Список побажань