Розетки для мікросхем, транзисторів

818-AG12D

частина: 3651

Тип: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, Кількість позицій або штифтів (сітка): 18 (2 x 9), Крок - спаровування: 0.100" (2.54mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 80.0µin (2.03µm), Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

8080-1G39

частина: 3576

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Oval), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8058-1G57

частина: 3532

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 8 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8058-1G34

частина: 3201

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 10 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8058-39G4

частина: 3205

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 8 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

822499-1

частина: 2931

Тип: PLCC, Кількість позицій або штифтів (сітка): 44 (4 x 11), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

822472-7

частина: 2978

Тип: PLCC, Кількість позицій або штифтів (сітка): 84 (4 x 21), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

822473-3

частина: 2904

Тип: PLCC, Кількість позицій або штифтів (сітка): 32 (2 x 7, 2 x 9), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

8080-1G9

частина: 4908

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 4 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

822473-4

частина: 2778

Тип: PLCC, Кількість позицій або штифтів (сітка): 44 (4 x 11), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

822114-3

частина: 2711

Тип: QFP, Кількість позицій або штифтів (сітка): 144 (4 x 36), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 200.0µin (5.08µm), Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

822114-4

частина: 2565

Тип: QFP, Кількість позицій або штифтів (сітка): 160 (4 x 40), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 200.0µin (5.08µm), Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

821949-4

частина: 6261

Тип: QFP, Кількість позицій або штифтів (сітка): 100 (4 x 25), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 200.0µin (5.08µm), Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

8-1437504-6

частина: 4944

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Oval), Контакт Готово - спаровування: Gold, Товщина контакту Готово - спаровування: 50.0µin (1.27µm), Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8060-1G5

частина: 5162

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8059-2G5

частина: 5248

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 8 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

8060-1G12

частина: 5783

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 4 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8059-2G8

частина: 5326

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 8 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8058-24G1

частина: 5420

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 10 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8058-1G31

частина: 5560

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 10 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

848-AG10D

частина: 5579

Тип: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, Кількість позицій або штифтів (сітка): 48 (2 x 24), Крок - спаровування: 0.100" (2.54mm), Контакт Готово - спаровування: Gold, Товщина контакту Готово - спаровування: 25.0µin (0.63µm), Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

840-AG10D

частина: 7945

Тип: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, Кількість позицій або штифтів (сітка): 40 (2 x 20), Крок - спаровування: 0.100" (2.54mm), Контакт Готово - спаровування: Gold, Товщина контакту Готово - спаровування: 25.0µin (0.63µm), Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

821949-5

частина: 6418

Тип: QFP, Кількість позицій або штифтів (сітка): 132 (4 x 33), Крок - спаровування: 0.050" (1.27mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 200.0µin (5.08µm), Матеріал контакту - спаровування: Phosphor Bronze,

836-AG11D

частина: 5795

Тип: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, Кількість позицій або штифтів (сітка): 36 (2 x 18), Крок - спаровування: 0.100" (2.54mm), Контакт Готово - спаровування: Gold, Товщина контакту Готово - спаровування: 25.0µin (0.63µm), Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

8080-1G24

частина: 8235

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Round), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 20.0µin (0.51µm), Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8080-1G15

частина: 5834

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Oval), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Товщина контакту Готово - спаровування: 200.0µin (5.08µm), Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8080-1G1

частина: 6500

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 4 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

828-AG12D

частина: 9716

Тип: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, Кількість позицій або штифтів (сітка): 28 (2 x 14), Крок - спаровування: 0.100" (2.54mm), Контакт Готово - спаровування: Tin-Lead, Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

8060-1G11

частина: 6752

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8060-1G6

частина: 6241

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 4 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

840-AG11D

частина: 9058

Тип: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, Кількість позицій або штифтів (сітка): 40 (2 x 20), Крок - спаровування: 0.100" (2.54mm), Контакт Готово - спаровування: Gold, Товщина контакту Готово - спаровування: 25.0µin (0.63µm), Матеріал контакту - спаровування: Copper Alloy,

8080-1G17

частина: 7704

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Oval), Контакт Готово - спаровування: Tin, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8080-1G31

частина: 6813

Тип: Transistor, TO-3, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Oval), Контакт Готово - спаровування: Tin, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8-1437530-1

частина: 6731

8058-1G32

частина: 4618

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 8 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,

8060-1G17

частина: 5338

Тип: Transistor, TO-5, Кількість позицій або штифтів (сітка): 3 (Round), Контакт Готово - спаровування: Gold, Матеріал контакту - спаровування: Beryllium Copper,