| Тип | Опис |
| Статус частини | Active |
|---|---|
| Тип | Transistor, TO-3 |
| Кількість позицій або штифтів (сітка) | 3 (Oval) |
| Крок - спаровування | - |
| Контакт Готово - спаровування | Gold |
| Товщина контакту Готово - спаровування | 50.0µin (1.27µm) |
| Матеріал контакту - спаровування | Beryllium Copper |
| Тип кріплення | Through Hole |
| Особливості | Closed Frame |
| Припинення | Solder |
| Крок - Допис | - |
| Зв'язок Готово - Опублікувати | Gold |
| Контакт Готова товщина - Опублікувати | - |
| Контактний матеріал - повідомлення | Beryllium Copper |
| Матеріал корпусу | Diallyl Phthalate (DAP) |
| Робоча температура | -55°C ~ 125°C |
| Статус ROHS | Rohs сумісний |
|---|---|
| Рівень чутливості вологості (MSL) | Не застосовується |
| Статус життєвого циклу | Застарілий / кінець життя |
| Столярна категорія | Доступний запас |
