Пам'ять

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

частина: 1319

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V64M8TG-6T:F TR

частина: 8887

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

частина: 121

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

частина: 65

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT46V16M16P-6T L:F

частина: 6831

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR

частина: 92

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (768M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

частина: 496

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1.5Tb (192G x 8),

MT46V32M16FN-6:F

частина: 7179

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V64M16P-6T:A TR

частина: 7893

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

EDFP164A3PB-JD-F-R TR

частина: 1679

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 933MHz,

EDB2432BCPA-8D-F-D

частина: 2731

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR2, Обсяг пам'яті: 2Gb (64M x 32), Тактова частота: 400MHz,

MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

частина: 9353

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

MT44K16M36RB-107E:B

частина: 106

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 933MHz,

MTFC32GJGDQ-AIT Z TR

частина: 1397

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR

частина: 1482

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

частина: 110

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z

частина: 8158

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT44K16M36RB-107E:B TR

частина: 1650

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 933MHz,

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

частина: 125

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

частина: 38

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1333MHz,

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B

частина: 108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT49H32M18SJ-25E:B

частина: 1558

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT46V64M8BN-6:F TR

частина: 2377

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

частина: 44

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

частина: 92

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR

частина: 1278

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR

частина: 87

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8),

MT53B256M64D2TG-062 XT:C

частина: 52

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT49H32M18SJ-25:B TR

частина: 1679

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT49H32M18SJ-25E:B TR

частина: 1539

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT40A4G4NRE-083E:B TR

частина: 906

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (4G x 4), Тактова частота: 1.2GHz,

MT44K16M36RB-093E IT:B

частина: 74

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 1067MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

частина: 82

MTFC32GAKAEDQ-AAT

частина: 89

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MTFC64GAPALBH-AAT

частина: 89

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT53D256M64D4KA-046 XT:B

частина: 102

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 2133MHz,