Пам'ять

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

частина: 94

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MTFC32GAKAEEF-AAT

частина: 68

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B TR

частина: 1686

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 933MHz,

MTA4ATF51264AZ-2G6E1

частина: 47

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 1333MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

частина: 64

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

частина: 1304

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

частина: 105

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

частина: 62

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 166MHz,

MT49H32M18CSJ-18:B

частина: 1248

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 533MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT TR

частина: 118

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

частина: 120

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 768Gb (96G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

частина: 2782

MT51K256M32HF-60 N:B TR

частина: 100

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR5, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1.5GHz,

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

частина: 1238

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

частина: 2762

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

частина: 75

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT49H32M18SJ-25:B

частина: 1725

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

частина: 125

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

частина: 129

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT44K16M36RB-093E:B

частина: 135

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 1067MHz,

MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

частина: 2088

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 384Gb (48G x 8),

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

частина: 1771

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8), Тактова частота: 166MHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

частина: 1740

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 933MHz,

MT49H32M18CSJ-18:B TR

частина: 1212

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 533MHz,

MT44K32M18RB-093E:B

частина: 92

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 1067MHz,

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

частина: 1351

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT49H16M36SJ-25:B TR

частина: 1719

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 400MHz,

MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR

частина: 1263

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 64Gb (8G x 8),

MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

частина: 2108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1067MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B TR

частина: 1614

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 400MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

частина: 130

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT52L512M32D2PF-093 WT:B

частина: 81

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1067MHz,

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

частина: 1079

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 768Gb (96G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

частина: 46

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A

частина: 115

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT40A1G16WBU-083E:B TR

частина: 1300

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (1G x 16), Тактова частота: 1.2GHz,