Пам'ять

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

частина: 4886

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

частина: 35

M58LT128HST8ZA6F TR

частина: 2608

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 52MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

частина: 66

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

частина: 69

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

частина: 51

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 768Gb (96G x 8), Тактова частота: 333MHz,

MT53D512M32D2DS-053 WT:D

частина: 39

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

частина: 2227

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

частина: 117

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

частина: 28

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

частина: 44

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

частина: 94

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B

частина: 1561

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 400MHz,

MTFC32GAPALBH-AAT TR

частина: 107

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

частина: 8056

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B

частина: 112

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 933MHz,

MTFC64GAOAMEA-WT

частина: 81

MT44K16M36RB-093F:B TR

частина: 1224

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 1067MHz,

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

частина: 2556

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT48LC8M32B2B5-7 TR

частина: 2317

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

частина: 88

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT45W4MW16BFB-706 WT F

частина: 2364

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

частина: 132

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

частина: 2146

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

частина: 73

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT51K256M32HF-60 N:B

частина: 34

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: RAM, Технологія: SGRAM - GDDR5, Обсяг пам'яті: 8Gb (256M x 32), Тактова частота: 1.5GHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

частина: 120

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 24Gb (768M x 32), Тактова частота: 933MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

частина: 61

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1866MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

частина: 2531

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

частина: 63

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 1866MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

частина: 85

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (512M x 32), Тактова частота: 1600MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

частина: 107

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

частина: 7307

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

частина: 99

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (256M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT40A2G8NRE-083E:B

частина: 42

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 16Gb (2G x 8), Тактова частота: 1.2GHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

частина: 1487

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8),