Пам'ять

MT46V64M8P-6T IT:F TR

частина: 8125

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT44K32M36RB-107E:A TR

частина: 1168

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (32Mb x 36), Тактова частота: 933MHz,

MT44K32M36RB-107E:A

частина: 48

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (32Mb x 36), Тактова частота: 933MHz,

MTFC64GAJAECE-AAT TR

частина: 36

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR

частина: 108

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT45W1MW16BABB-706 WT TR

частина: 2041

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

MT48LC8M32LFB5-8 TR

частина: 2005

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V32M16P-6T:F

частина: 7386

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46H8M16LFCF-10

частина: 6383

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT53D512M64D4SB-046 XT:E

частина: 136

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

MT48LC16M16A2FG-75:D TR

частина: 1062

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48H8M32LFB5-8 IT TR

частина: 989

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

JS28F160C3BD70A

частина: 9744

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - Boot Block, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

MT46V16M16FG-6 L:F TR

частина: 6953

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT44K64M18RB-093E:A TR

частина: 970

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (64Mb x 18), Тактова частота: 1067MHz,

M25P05-AVMN6T TR

частина: 9358

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 50MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ms, 5ms,

MT46V64M16P-75:A TR

частина: 7988

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT45W8MW16BGX-708 WT TR

частина: 2037

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

M29W040B90K6

частина: 8851

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

MTFC64GAJAEDN-AIT

частина: 108

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

MT48LC8M16A2TG-75 IT:G TR

частина: 1916

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V8M16TG-6T L:D TR

частина: 946

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28HL32GQBB6EBL-0GCT

частина: 902

MT46V64M16P-75:A

частина: 8069

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H64M8CB-5E IT:B

частина: 8592

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H32M16CC-3E:B

частина: 8411

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT47H128M8BT-3 L:A

частина: 8310

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR

частина: 703

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 100MHz,

MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR

частина: 9428

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V128M8P-75:A TR

частина: 6760

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MTA8ATF1G64HZ-2G6E1

частина: 78

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 64Gb (1G x 64), Тактова частота: 1333MHz,

MT46V64M4TG-5B:G TR

частина: 535

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC2M32B2TG-6:G TR

частина: 1238

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D

частина: 120

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 2133MHz,

MT52L512M64D4PQ-107 WT:B

частина: 1256

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 32Gb (512M x 64), Тактова частота: 933MHz,

MT48LC64M8A2TG-75:C TR

частина: 1927

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,