Пам'ять

MT29F2G16AABWP-ET TR

частина: 6046

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

Список побажань

Micron Technology Inc.

JS28F160C3TD70A

частина: 9731

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - Boot Block, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V64M8TG-5B:D TR

частина: 674

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT47H128M8BT-5E L:A

частина: 8299

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT48LC4M16A2TG-75:G TR

частина: 1470

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT52L1G32D4PG-107 WT:B

частина: 1269

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 933MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

TE28F160B3BD70A

частина: 7286

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - Boot Block, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT52L1G32D4PG-093 WT:B

частина: 1043

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR3, Обсяг пам'яті: 32Gb (1G x 32), Тактова частота: 1067MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MTFC64GAJAEDQ-AAT

частина: 36

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V16M16P-6T IT:F TR

частина: 9366

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V128M4FN-5B:F TR

частина: 8614

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V32M16FN-5B:F TR

частина: 7206

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V64M4TG-6T:G TR

частина: 2052

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

частина: 115

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8), Тактова частота: 333MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V64M4P-5B:G

частина: 8056

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

M29W320DB70N6E

частина: 37419

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

M25P40-VMN6T TR

частина: 9460

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 50MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ms, 5ms,

Список побажань

Micron Technology Inc.

PC28F256P30T85A

частина: 9703

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 52MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT47H32M16CC-37E L:B TR

частина: 8408

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V256M4P-6T:A TR

частина: 6974

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (256M x 4), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MTFC64GAJAECE-AAT

частина: 71

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 512Gb (64G x 8),

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V32M8P-6T IT:G

частина: 7850

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-107E:A

частина: 66

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (64Mb x 18), Тактова частота: 933MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT48LC32M8A2FB-75:D TR

частина: 1421

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V128M4P-6T:F TR

частина: 6688

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V128M8P-6T:A

частина: 6753

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT44K64M18RB-083F:A

частина: 119

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 1.125Gb (64Mb x 18), Тактова частота: 1200MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

RD28F1604C3BD70A

частина: 7361

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, RAM, Технологія: FLASH, SRAM, Обсяг пам'яті: 16Mbit Flash, 4Mbit RAM, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT46V32M4P-5B:D

частина: 7706

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (32M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

JS28F128P30T85A

частина: 9568

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 40MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFF4-75M IT:G

частина: 5860

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

RC28F320C3TD70A

частина: 752

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - Boot Block, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A

частина: 637

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR

частина: 661

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 128Gb (16G x 8), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань

Micron Technology Inc.

MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR

частина: 101

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 24Gb (384M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

Список побажань

частина: 6046

частина: 9731

частина: 674

частина: 8299

частина: 1470

частина: 1269

частина: 7286

частина: 1043

частина: 36

частина: 9366

частина: 8614

частина: 7206

частина: 2052

частина: 2694

частина: 115

частина: 8056

частина: 37419

частина: 9460

частина: 9703

частина: 8408

частина: 6974

частина: 71

частина: 7850

частина: 66

частина: 1421

частина: 6688

частина: 6753

частина: 119

частина: 7361

частина: 7706

частина: 9568

частина: 5860

частина: 752

частина: 637

частина: 661

частина: 101